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是什么電子元件銷售怎么樣

來源: 發(fā)布時間:2020-09-11

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網(wǎng)絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。 除了保證這些設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發(fā)展速度。 國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)顯示,2010年中國功率器件行業(yè)共有規(guī)模以上企業(yè)498家,全行業(yè)實現(xiàn)銷售收入1015.11億元,同比增長6.86%;實現(xiàn)利潤總額85.27億元,同比增長47.54%。從企業(yè)經(jīng)濟類型來看,三資企業(yè)數(shù)量*多,其企業(yè)數(shù)量占行業(yè)數(shù)量的47.19%。從企業(yè)數(shù)量、銷售收入以及資產規(guī)模來看,江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多電子元件是電子電路中的基本元素。是什么電子元件銷售怎么樣

電力二極管:結構和原理簡單,工作可靠; 晶閘管:承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT:開關速度高,開關損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅動,驅動功率?。蝗秉c:開關速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR:耐壓高,電流大,開關特性好,通流能力強,飽和壓降低;缺點:開關速度低,為電流驅動,所需驅動功率大,驅動電路復雜,存在二次擊穿問題 GTO:電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導調制效應,其通流能力很強;缺點:電流關斷增益很小,關斷時門極負脈沖電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路復雜,開關頻率低 電力MOSFET:開關速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅動功率小且驅動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題;缺點:電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素:耐壓,電流容量,開關的速度濱湖區(qū)環(huán)保電子元件銷售從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,能通過的電流大小也是一定的。因此,由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以,在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時,希望各元件能承受同樣的正、反向電壓;并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,串、并聯(lián)時,各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以,在電力電子器件串聯(lián)時,要采取均壓措施;在并聯(lián)時,要采取均流措施。 電力電子器件工作時,會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命,甚至燒毀,這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此,必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。

為了保持電子元件運作的穩(wěn)定性,通常將它們以合成樹脂(Resin dispensing)包覆封裝,以提高絕緣與保護不受環(huán)境的影響。?[1]? 元件也許是被動或有源的(passive or active):被動元件(Passive components)是一種電子元件,在使用時它們沒有任何的增益或方向性。在電路分析(Network analysis)時,它們被稱為電力元件(Electrical elements)。 有源元件(Active components)是一種電子元件,相對于被動元件所沒有的,在使用時它們有增益或方向性。它們包括了半導體器件與真空管。 端子與連接器:用于電路連接的裝置 端子(Terminal): 電子連接器(Connector):(Closed)、信號插座(Socket)、端子臺(Screw terminal, Terminal Blocks)、信號接頭(Header)。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管, 由于不受少子儲存效應的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴大電流容量時,器件并聯(lián)簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。無錫質量電子元件銷售推薦貨源

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