本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其是一種用于晶圓搬運(yùn)的機(jī)械手。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體加工設(shè)備中，經(jīng)常需要將晶圓在各個(gè)工位之間進(jìn)行傳送，在傳送的過(guò)程中，傳送精度越高，設(shè)備工藝一致性就越好，速度越快，單臺(tái)設(shè)備的產(chǎn)能就越大。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，設(shè)備處理的工藝越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)設(shè)備自動(dòng)化程度、柔性化程度要求也越來(lái)越高，這就需要一種定位精度高，速度快的多自由度的機(jī)械手。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供了一種晶圓搬運(yùn)機(jī)械手，本發(fā)明的機(jī)械手在傳送過(guò)程中晶片中心始終保證直線運(yùn)動(dòng)，且角度不會(huì)發(fā)生改變。從而提高機(jī)械手整體剛度和承重能力，同時(shí)提高了重復(fù)定位精度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)合理性能穩(wěn)定，維護(hù)方便，多功能集一身，可滿足多種工藝設(shè)備要求，適用于各種半導(dǎo)體設(shè)備。

有時(shí)往往相互矛盾，剛性好、載重大，結(jié)構(gòu)往往粗大、導(dǎo)向桿也多。汕尾正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂參考價(jià)

出了通用二自由度空間模塊(TODOM)的概念,并以通用TODOM作為空間機(jī)械臂的構(gòu)造模塊。TO-DOM由兩個(gè)旋轉(zhuǎn)模塊及一個(gè)連接模塊共三個(gè)基本模塊組成。根據(jù)空間機(jī)械臂的具體構(gòu)型需要,將TODOM的三個(gè)基本模塊之間的機(jī)械接口進(jìn)行專門設(shè)計(jì),即可配置成確定構(gòu)型的二自由度關(guān)節(jié)。由這樣數(shù)個(gè)不同構(gòu)型的二自由度關(guān)節(jié)可以組裝出具有偶數(shù)個(gè)自由度的空間機(jī)器臂。采用一體化概念設(shè)計(jì)的TODOM減小了關(guān)節(jié)的質(zhì)量與體積,提高了系統(tǒng)的可靠性。通過(guò)對(duì)由TODOM構(gòu)成的一套二自由度關(guān)節(jié)進(jìn)行的試驗(yàn)初步驗(yàn)證了TODOM設(shè)計(jì)概念的合理性及可行性。深圳官方晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂怎么聯(lián)系手臂上的零部件，如油缸、導(dǎo)向桿、控制件等都安裝在手臂上。

例如：尋找，運(yùn)輸，握取，對(duì)準(zhǔn)，裝配，檢驗(yàn)等動(dòng)作. 為了明確地描述工業(yè)機(jī)械人，美國(guó)機(jī)械人協(xié)會(huì)在1979年將機(jī)械人定義為一個(gè)可用程式控制，多功能的操作器，它透過(guò)程式控制和多變化的動(dòng)作設(shè)計(jì)來(lái)移動(dòng)材料，工件，工具或特別設(shè)備，以完成一連串的工作.所以，雖然許多工業(yè)機(jī)械人并非有人的形態(tài)，但只要它們符合機(jī)械人的定義，便可以稱為機(jī)械人.工業(yè)機(jī)械人雖然已被廣泛應(yīng)用在多種制造行業(yè)內(nèi)，但估計(jì)在不久將來(lái)還會(huì)有數(shù)以十萬(wàn)計(jì)的工業(yè)機(jī)械人投入服務(wù).現(xiàn)時(shí)，不少研究人員正為機(jī)械人研究如何加入視覺(jué)和感覺(jué)，令機(jī)械人可以完成更復(fù)雜的工作.而研究機(jī)械人的學(xué)問(wèn)稱為機(jī)械人學(xué)。

一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機(jī)械手，該真空吸附機(jī)械手包括：手臂；固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺(tái)；設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺(tái)內(nèi)的真空氣道；所述吸附絕緣凸臺(tái)用于吸附待傳送晶圓的背面，所述吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度，故利用真空吸附機(jī)械手將晶圓傳送至所需位置之后，晶圓的背面中與真空吸附機(jī)械手接觸的位置不會(huì)形成印記，提高了晶圓的合格率。精確地定位到三維（或二維）空間上的某一點(diǎn)進(jìn)行作業(yè)。

    基因決定”——生長(zhǎng)方法導(dǎo)致若要回答這個(gè)問(wèn)題，首先要說(shuō)一個(gè)大約有100余年歷史的原因。。。1918年，前蘇聯(lián)科學(xué)家切克勞斯基（Czochralski）建立起來(lái)一種晶體生長(zhǎng)方法——直拉式晶體生長(zhǎng)方法，簡(jiǎn)稱CZ法。硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。首先是硅砂的提純及熔煉。這個(gè)階段主要是通過(guò)溶解、提純、蒸餾等一系列措施得到多晶硅。接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)工藝。就是從硅熔體中生長(zhǎng)出單晶硅。高純度的多晶硅放在石英坩堝中，在保護(hù)性氣氛中高溫加熱使其熔化。使用一顆小的籽晶緩慢地從旋轉(zhuǎn)著的熔體中緩慢上升，即可垂直拉制出大直徑的單晶硅錠。***一步是晶圓成型。單晶硅錠一般呈圓柱型，直徑從3英寸到十幾英寸不等。硅錠經(jīng)過(guò)切片、拋光之后，就得到了單晶硅圓片，也即晶圓。 手臂的結(jié)構(gòu)要緊湊小巧，才能做手臂運(yùn)動(dòng)輕快、靈活。汕尾正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂參考價(jià)

越來(lái)越多的行業(yè)都使用了工業(yè)機(jī)器人代替人工作業(yè)。汕尾正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂參考價(jià)

接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)，**常用的方法叫直拉法（CZ法）。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。汕尾正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂參考價(jià)

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