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安徽BEAM-XL光刻機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-27

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如,其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入,多層曝光疊加功能簡化了射頻器件(如IDC電容器)的制造流程。研究團(tuán)隊(duì)利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件,驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。工業(yè)4.0協(xié)同創(chuàng)新:與弗勞恩霍夫ILT合作優(yōu)化激光能量分布,提升制造精度。安徽BEAM-XL光刻機(jī)

安徽BEAM-XL光刻機(jī),光刻機(jī)

針對植入式醫(yī)療設(shè)備的長期安全性問題,某生物電子實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)在聚乳酸()基底上制備可降解電極。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染,使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2,生物相容性測試顯示細(xì)胞存活率達(dá) 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案,開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器,在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個(gè)月,信號傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%,相關(guān)技術(shù)已進(jìn)入臨床前生物相容性評價(jià)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。重慶BEAM-XL光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩??焖僮詣訉梗洪]環(huán)對焦系統(tǒng)1秒完成,多層半自動對準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率。

安徽BEAM-XL光刻機(jī),光刻機(jī)

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描,單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。

某基因treatment團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了微米級 DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導(dǎo)入,在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu),載體的 DNA 負(fù)載量達(dá) 200μg/mg,較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動物實(shí)驗(yàn)顯示,該載體在肝臟靶向遞送中,基因轉(zhuǎn)染效率達(dá) 65%,且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細(xì)胞表面受體定制載體形貌,在 CAR-T 細(xì)胞treatment中,CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%,相關(guān)技術(shù)已申請國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。光束引擎高速掃描:SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域,壓電驅(qū)動提升掃描速度。

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德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù),突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴,支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動對焦(1秒完成)和半自動多層對準(zhǔn)功能,大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率,適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。雙光子聚合擴(kuò)展:結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印,拓展微型機(jī)器人制造。湖北德國BEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

納 / 微機(jī)械:亞微米級結(jié)構(gòu)加工,微型齒輪精度達(dá) ±50nm,推動微機(jī)電系統(tǒng)創(chuàng)新。安徽BEAM-XL光刻機(jī)

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)(如固態(tài)激光光源)符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。安徽BEAM-XL光刻機(jī)