半導(dǎo)體材料是碳化硅相當(dāng)有前景的應(yīng)用領(lǐng)域之一，碳化硅是目前發(fā)展成熟的第三代半導(dǎo)體材料。隨著生產(chǎn)成本的降低，SiC半導(dǎo)體正在逐步取代一、二代半導(dǎo)體。碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封裝和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用中，碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)勢在于可與氮化鎵半導(dǎo)體互補(bǔ)，氮化鎵半導(dǎo)體材料的市場應(yīng)用領(lǐng)域集中在1000V以下，偏向中低電壓范圍，目前商業(yè)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品電壓等級為600~1700V。由于SiC器件高轉(zhuǎn)換效率、低發(fā)熱特性和輕量化等優(yōu)勢，下業(yè)需求持續(xù)增加，有取代SiO2器件的趨勢。碳化硅半導(dǎo)體（這里指4H-SiC）是新一代寬禁帶半導(dǎo)體。進(jìn)口sic碳化硅襯底n型

功率半導(dǎo)體是大國重器，必將獲得國家戰(zhàn)略性支持。  功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高鐵、汽車、光伏、電網(wǎng)輸電等應(yīng)用的上游**零部件。 功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化是我國實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。功率半導(dǎo)體必將獲得國家大基金及地方產(chǎn)業(yè)基金的持續(xù)戰(zhàn)略性支持。經(jīng)過5-10年的發(fā)展，我國將出現(xiàn)一兩家企業(yè)躋身國際功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)**梯隊。歐美日三地把控**市場，中低端市場大陸廠商替代率穩(wěn)步上升IGBT 及中高壓MOSFET 市場主要由歐美日三地企業(yè)把控，二極管、晶閘管、中低壓MOSFET 等市場國內(nèi)企業(yè)在逐步蠶食海外廠商市場份額，進(jìn)口替代率穩(wěn)步上升。蘇州進(jìn)口4寸碳化硅襯底碳化硅（指半絕緣型）是射頻微波器件的理想襯底材料。

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應(yīng)用場景有極大優(yōu)勢。第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅、氮化鎵為，與前兩代半導(dǎo)體材料相比比較大的優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強(qiáng)度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。

不同的SiC多型體在半導(dǎo)體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。利用SiC的這一特點(diǎn)可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu)和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結(jié)構(gòu)**為穩(wěn)定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高，飽和電子漂移速度**快，擊穿電場**強(qiáng)，較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件，及其它薄膜材料(如A1N、GaN、金剛石等)的襯底和X射線的掩膜等。而且，β-SiC薄膜能在同屬立方晶系的Si襯底上生長，而Si襯底由于其面積大、質(zhì)量高、價格低，可與Si的平面工藝相兼容，所以后續(xù)PECVD制備的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜[2]。碳化硅半導(dǎo)體是新一代寬禁帶半導(dǎo)體。

的中端功率半導(dǎo)體器件是IGBT，它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的特性。IGBT用于400伏至10千伏的應(yīng)用。問題是功率MOSFET和IGBT正達(dá)到其理論極限，并遭受不必要的能量損失。一個設(shè)備可能會經(jīng)歷能量損失，原因有兩個：傳導(dǎo)和開關(guān)。傳導(dǎo)損耗是由于器件中的電阻引起的，而開關(guān)損耗發(fā)生在開關(guān)狀態(tài)。這就是碳化硅適合的地方?；诘墸℅aN）的電力半成品也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù)。硅的帶隙為1.1eV。相比之下，SiC的帶隙為3.3eV，而GaN為3.4eV。DC-DC轉(zhuǎn)換器獲取蓄電池電壓，然后將其降到較低的電壓。這用于控制車窗、加熱器和其他功能。SiC會發(fā)生氧化反應(yīng)，所以在其表面加一SiO2層以防止氧化。江蘇碳化硅襯底進(jìn)口6寸sic

碳化硅功率器件更突出的潛力是在超高耐壓大容量功率器件（HVPD）領(lǐng)域。進(jìn)口sic碳化硅襯底n型

碳化硅（SIC）是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有***成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅(SiC)電力電子市場是具體而實在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進(jìn)一步向前發(fā)展。用戶正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應(yīng)用于具體且具有發(fā)展前景的項目。進(jìn)口sic碳化硅襯底n型