碳化硅SiC的應(yīng)用前景由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，不僅能夠作為一種良好的高溫結(jié)構(gòu)材料，也是一種理想的高溫半導(dǎo)體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術(shù)的高速發(fā)展，SiC薄膜已經(jīng)被***應(yīng)用于保護(hù)涂層、光致發(fā)光、場效應(yīng)晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽能電池的窗口材料等。另外，作為結(jié)構(gòu)材料的SiC薄膜還被認(rèn)為是核聚變堆中比較好的防護(hù)材料，在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜，可以**地降低氚的滲透率，并保持聚變反應(yīng)的穩(wěn)定性?？偨Y(jié)起來，SiC具有以下幾個方面的應(yīng)用：(1)高的硬度與熱穩(wěn)定性，可用于***涂層；(2)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，在核反應(yīng)技術(shù)中用作核聚變堆等離子體的面對材料：(3)大的禁帶寬度，可作為光的短波長區(qū)域發(fā)光材料。例如，3C-SiC的Eg=2.2eV，6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍(lán)色LED材料，目前SiC藍(lán)光LED已經(jīng)商品化；(4)高的熱導(dǎo)率，可作為超大規(guī)模集成電路和特大規(guī)模集成電路的熱沉材料，**提高了電路的集成度；(5)優(yōu)異的電學(xué)性能，在功率器件、微波器件、高溫器件和抗輻射器件方面也具有***的應(yīng)用前景。采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小。深圳碳化硅襯底進(jìn)口6寸n型

碳化硅襯底成本下降趨勢可期。在碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)中，襯底成本約占50%。碳化硅襯底較低的供應(yīng)量和較高的價格一直是制約碳化硅基器件大規(guī)模應(yīng)用的主要因素之一，碳化硅襯底需要在2500度高溫設(shè)備下進(jìn)行生產(chǎn)，而硅晶只需1500度；碳化硅晶圓約需要7至10天，而硅晶棒只需要2天半；目前碳化硅晶圓主要是4英寸與6英寸，而用于功率器件的硅晶圓以8英寸為主，這意味著碳化硅單晶片所產(chǎn)芯片數(shù)量較少、碳化硅芯片制造成本較高,目前碳化硅功率器件的價格仍數(shù)倍于硅基器件，下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡碳化硅器件的高價格與碳化硅器件優(yōu)越性能帶來的綜合成本下降間的關(guān)系。深圳碳化硅襯底進(jìn)口6寸n型碳化硅由于其獨特的物理及電子特性，在一些應(yīng)用上成為短波長光電元件，高溫，抗幅射以及高頻大功率元件。

    以碳化硅為的第三代半導(dǎo)體材料，被譽(yù)為繼硅材料之后有前景的半導(dǎo)體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體功率器件和5G通訊等領(lǐng)域。按照襯底電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件，導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與硅片一樣，碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等規(guī)格，正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。

從 80 年代末起，SiC 材料與器件的飛速發(fā)展。由于 SiC 材料種類很多，性質(zhì)各異，它的應(yīng)用范圍十分***。  在大功率器件方面，利用 SiC 材料可以制作的器件，其電流特性、電壓特性、和高頻特性等具有比 Si材料更好的性質(zhì)。  在高頻器件方面，SiC 高頻器件輸出功率更高，且耐高溫和耐輻射輻射特性更好，可用于通信電子系統(tǒng)等。  在光電器件方面，利用 SiC 不影響紅外輻射的性質(zhì)，可將其用在紫外探測器上，在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號，功率利用率 80%左右。  在耐輻射方面，一些 SiC 器件輻射環(huán)境惡劣的條件下使用如核反應(yīng)堆中應(yīng)用。 高溫應(yīng)用方面，利用 SiC 材料制備的器件工作溫度相當(dāng)?shù)馗?，?SiC MOSFET和 SiC 肖特基二極管可在 900k 下工作。  從世界范圍來看，高功率器件是有可能實現(xiàn)的，應(yīng)用潛力也比較大，如圖 1.2所示。SiC 作為二元化合物半導(dǎo)體，屬于Ⅳ族元素中***的固態(tài)化合物。它 Si-C 健的能量很穩(wěn)定，這也是 SiC 在各種極端環(huán)境下仍能穩(wěn)定的原因。SiC 的原子化學(xué)能高達(dá) 1250KJ/mol；德拜溫度達(dá)到 1200-1430K，摩爾硬度達(dá)到 9 級，比金剛石摩爾硬度低些；導(dǎo)熱性良好，達(dá) 5W/cm.K,比其他半導(dǎo)體材料好很多?，F(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。

從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產(chǎn)廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內(nèi)生產(chǎn)廠家在襯底領(lǐng)域已經(jīng)擁有了一定的市場份額。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Cree）以及天岳先進(jìn)依次占據(jù)甲的位置，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。從資金來看，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體投資力度高企，力爭追趕國際廠商。根據(jù)CASA披露的數(shù)據(jù)顯示，2018年至今，國內(nèi)廠商始終加強(qiáng)布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，2020年共有24筆投資擴(kuò)產(chǎn)項目，增產(chǎn)投資金額超過694億元，其中碳化硅領(lǐng)域共17筆、投資550億元。Cree現(xiàn)在供應(yīng)的主流襯底片主要是4英寸和6英寸大尺寸晶片。進(jìn)口6寸半絕緣碳化硅襯底外延加工

SiC作為襯底材料應(yīng)用的***程度僅次于藍(lán)寶石，目前還沒有第三種襯底用于GaNLED的商業(yè)化生產(chǎn)。深圳碳化硅襯底進(jìn)口6寸n型

國外化工企業(yè)在發(fā)展過程中也經(jīng)歷了被社會“誤解”的過程，但通過長期堅持安全環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)和公開透明的溝通機(jī)制，**終取得了全社會的信任。我國化工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，要重視通過環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)和法律法規(guī)引導(dǎo)企業(yè)減量、達(dá)標(biāo)排放，實現(xiàn)綠色發(fā)展。世界各國對環(huán)境保護(hù)和綠色發(fā)展的重視程度日益提升，出臺了很多環(huán)境方面的政策、法規(guī)，同時環(huán)境執(zhí)法力度也在逐步提高，化工私營有限責(zé)任公司企業(yè)需要積極探索綠色低碳、安全環(huán)保的技術(shù)，加強(qiáng)與信息化技術(shù)融合，盡可能地發(fā)展環(huán)保型產(chǎn)品，實現(xiàn)清潔生產(chǎn)，并在節(jié)約能源和資源方面，采用工藝技術(shù)，降低原材料消耗；配備廢水、廢氣、廢固處理設(shè)備，極大限度地降低三廢排放量，增加節(jié)水措施，提高水的重復(fù)利用率等。可以說，“綠色化工”已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展潮流。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)和****的眾多領(lǐng)域中，成為我國化工體系中市場需求增長**快的領(lǐng)域之一，近年來很多產(chǎn)品的消費量年均增長都在10%以上。貿(mào)易型的優(yōu)化有力地拉動了化工產(chǎn)業(yè)的市場需求，產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模迅速擴(kuò)大，領(lǐng)域不斷拓展、結(jié)構(gòu)逐步調(diào)整、整體水平有較大提升，運行質(zhì)量和效益進(jìn)一步提高。深圳碳化硅襯底進(jìn)口6寸n型

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