碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應(yīng)用場景有極大優(yōu)勢。第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅、氮化鎵為，與前兩代半導(dǎo)體材料相比比較大的優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。碳化硅被譽為下一代半導(dǎo)體材料，其具有眾多優(yōu)異的物理化學特性應(yīng)用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。導(dǎo)電碳化硅襯底進口

新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅(qū)動。SiC功率器件主要應(yīng)用于新能源車逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和車載充電器(OBC)等電控領(lǐng)域，以完成較Si更高效的電能轉(zhuǎn)換。預(yù)計隨著新能源車需求快速爆發(fā)，以及SiC襯底工藝成熟、帶來產(chǎn)業(yè)鏈降本增效，產(chǎn)業(yè)化進程有望提速。1)應(yīng)用端：解決電動車續(xù)航痛點。據(jù)Wolfspeed測算，將純電動汽車逆變器中的功率組件改成SiC時,可降低電力電子系統(tǒng)的體積、重量和成本，提升車輛5%-10%的續(xù)航。據(jù)英飛凌測算，SiC器件整體損耗相比Si基器件降低80%以上，導(dǎo)通及開關(guān)損耗減小，有助于增加電動車續(xù)航里程。江蘇碳化硅襯底進口n型碳化硅是發(fā)展第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

    碳化硅之所以引人注目，是因為它是一種寬帶隙技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基器件相比，SiC的擊穿場強是硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。在另一個應(yīng)用中，碳化硅用于制造LED。比較大的增長機會是汽車，尤其是電動汽車?；赟iC的功率半導(dǎo)體用于電動汽車的車載充電裝置，而該技術(shù)正在該系統(tǒng)的關(guān)鍵部件牽引逆變器中取得進展。牽引逆變器向電機提供牽引力以推進車輛。對于這種應(yīng)用，特斯拉正在一些車型中使用碳化硅動力裝置，而其他電動汽車制造商正在評估這項技術(shù)?！碑斎藗冇懻撎蓟韫β势骷r，汽車市場無疑是焦點?！柏S田（Toyota）和特斯拉（Tesla）等先驅(qū)者的SiC活動給市場帶來了很多興奮和噪音。”SiCMOSFET在汽車市場上具有潛力。但也存在一些挑戰(zhàn)，如成本、長期可靠性和模塊設(shè)計。

在逆變器中，有六個IGBT，每個IGBT都有一個單獨的硅基二極管。使用二極管有幾個原因?！盧ohm的VanOchten說：“IGBT不喜歡極性接通或跨接電壓?！币虼?，需要在每個IGBT上添加一個二極管，以防止在關(guān)閉開關(guān)時損壞它。”提高系統(tǒng)效率的一種方法是更換硅二極管。”提高牽引逆變器效率的第一步是將IGBT留在其中。但是，你用碳化硅二極管代替普通的硅二極管，”他說碳化硅二極管具有更好的性能。這將使您的效率提高幾個百分點?！笨梢钥隙ǖ氖牵蓟枵谏郎?，電動汽車也在升溫。如果供應(yīng)商能夠降低成本，SiCpower半成品似乎處于主導(dǎo)地位。好消息是4英寸和6英寸尺寸的SiC基板和晶圓的生產(chǎn)能力迅速擴大，這將很快降低SiC基板和晶圓的成本。與傳統(tǒng)硅基功率電力電子器件相比，碳化硅基功率器件可以**降低能耗，節(jié)約電力。

    功率半導(dǎo)體多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為節(jié)能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。將Si換成GaN或SiC等化合物半導(dǎo)體，可大幅提高產(chǎn)品效率并縮小尺寸，這是Si功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）無法實現(xiàn)的。目前，很多領(lǐng)域都將Si二極管、MOSFET及IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等晶體管用作功率元件，比如供電系統(tǒng)、電力機車、混合動力汽車、工廠內(nèi)的生產(chǎn)設(shè)備、光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器、空調(diào)等白色家電、服務(wù)器及個人電腦等。這些領(lǐng)域利用的功率元件的材料也許不久就將被GaN和SiC所替代。 p-SiC電子遷移率比較高，飽和電子漂移速度**快，擊穿電場**強，較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件等。江蘇碳化硅襯底進口n型

功率半導(dǎo)體器件是實現(xiàn)電力控制的關(guān)鍵，與Si相比，碳化硅半導(dǎo)體非常適合制作功率器件。導(dǎo)電碳化硅襯底進口

    SiC有多種同質(zhì)多型體，不同的同質(zhì)多型體有不同的應(yīng)用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應(yīng)用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導(dǎo)率和高臨界擊穿電場，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領(lǐng)域不可替代的地位，世界上很多國家對SiC半導(dǎo)體材料和器件的研究都很重視。美國的**寬禁帶半導(dǎo)體計劃、歐洲的ESCAPEE計劃和日本的國家硬電子計劃等，紛紛對SiC半導(dǎo)體材料晶體制備和外延及器件投入巨資進行研究。 導(dǎo)電碳化硅襯底進口

蘇州豪麥瑞材料科技有限公司一直專注于蘇州豪麥瑞材料科技有限公司（Homray Material Company）成立于2014年，是由一群在半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)多年的專業(yè)團隊所組成，專注于半導(dǎo)體技術(shù)和資源的發(fā)展與整合，現(xiàn)以進口碳化硅晶圓，供應(yīng)切割、研磨及拋光等相關(guān)制程的材料與加工設(shè)備，氧化鋁研磨球，氧化鋯研磨球，陶瓷研磨球，陶瓷精加工，拋光液。，是一家化工的企業(yè)，擁有自己**的技術(shù)體系。目前我公司在職員工以90后為主，是一個有活力有能力有創(chuàng)新精神的團隊。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨，深受客戶好評。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實的工作作風、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液形象，贏得了社會各界的信任和認可。