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江蘇碳化硅襯底進(jìn)口6寸sic

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-31

    碳化硅之所以引人注目,是因?yàn)樗且环N寬帶隙技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基器件相比,SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅基器件的10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是硅基器件的3倍,非常適合于高壓應(yīng)用,如電源、太陽(yáng)能逆變器、火車(chē)和風(fēng)力渦輪機(jī)。在另一個(gè)應(yīng)用中,碳化硅用于制造LED。比較大的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)是汽車(chē),尤其是電動(dòng)汽車(chē)?;赟iC的功率半導(dǎo)體用于電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電裝置,而該技術(shù)正在該系統(tǒng)的關(guān)鍵部件牽引逆變器中取得進(jìn)展。牽引逆變器向電機(jī)提供牽引力以推進(jìn)車(chē)輛。對(duì)于這種應(yīng)用,特斯拉正在一些車(chē)型中使用碳化硅動(dòng)力裝置,而其他電動(dòng)汽車(chē)制造商正在評(píng)估這項(xiàng)技術(shù)?!碑?dāng)人們討論碳化硅功率器件時(shí),汽車(chē)市場(chǎng)無(wú)疑是焦點(diǎn)。“豐田(Toyota)和特斯拉(Tesla)等先驅(qū)者的SiC活動(dòng)給市場(chǎng)帶來(lái)了很多興奮和噪音。”SiCMOSFET在汽車(chē)市場(chǎng)上具有潛力。但也存在一些挑戰(zhàn),如成本、長(zhǎng)期可靠性和模塊設(shè)計(jì)。 質(zhì)量好的碳化硅襯底的找誰(shuí)好?江蘇碳化硅襯底進(jìn)口6寸sic

    降低碳化硅襯底的成本的三個(gè)方法:1)做大尺寸:襯底的尺寸越大,邊緣的浪費(fèi)就越小,有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。6英寸襯底面積為4英寸襯底的,相同的晶體制備時(shí)間內(nèi)襯底面積的倍數(shù)提升帶來(lái)襯底成本的大幅降低,與此同時(shí),單片襯底上制備的芯片數(shù)量隨著襯底尺寸增大而增多,單位芯片的成本也即隨之降低。2)提高材料使用效率:由于技術(shù)限制,長(zhǎng)晶時(shí)間很難縮短,而單位時(shí)間內(nèi)長(zhǎng)晶越厚成本越低,因此可以設(shè)法增加晶錠厚度;另一方面,目前的切割工藝很容易造成浪費(fèi),可以通過(guò)激光切割或其他技術(shù)手段減少切割損耗。3)提高良率:以山東天岳為例,碳化硅襯底產(chǎn)品良率逐年提升,綜合良率由30%提升至38%,國(guó)內(nèi)廠商良率情況普遍在40%左右,若能提升至60%-70%,碳化硅襯底生產(chǎn)成本將得到進(jìn)一步下降。 江蘇6寸sic碳化硅襯底蘇州口碑好的碳化硅襯底公司。

全球碳化硅襯底企業(yè)主要有CREE、II-VI、SiCrystal,國(guó)際企業(yè)相比國(guó)內(nèi)企業(yè)由于起步早,在產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)成熟度、產(chǎn)能規(guī)模等方面具備優(yōu)勢(shì),搶占了全球碳化硅襯底絕大部分的市場(chǎng)份額。隨著下游終端市場(chǎng),新能源汽車(chē)、光伏、5G基站等領(lǐng)域的快速增長(zhǎng),為上游碳化硅襯底提供了巨大的市場(chǎng)活力,國(guó)內(nèi)以山東天岳、天科合達(dá)、爍科晶體等為的企業(yè)紛紛跑馬圈地碳化硅襯底市場(chǎng),通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入,逐漸掌握了4英寸至6英寸,甚至8英寸的碳化硅襯造技術(shù),縮小了與國(guó)際之間技術(shù)與產(chǎn)能方面的差距。

SiC晶體的獲得早是用AchesonZ工藝將石英砂與C混合放入管式爐中2600℃反應(yīng)生成,這種方法只能得到尺寸很小的多晶SiC。至1955年,Lely用無(wú)籽晶升華法生長(zhǎng)出了針狀3C-SiC孿晶,由此奠定了SiC的發(fā)展基礎(chǔ)。20世紀(jì)80年代初Tairov等采用改進(jìn)的升華工藝生長(zhǎng)出SiC晶體,SiC作為一種實(shí)用半導(dǎo)體開(kāi)始引起人們的研究興趣,國(guó)際上一些先進(jìn)國(guó)家和研究機(jī)構(gòu)都投入巨資進(jìn)行SiC研究。20世紀(jì)90年代初,Cree Research Inc用改進(jìn)的Lely法生長(zhǎng)6H-SiC晶片并實(shí)現(xiàn)商品化,并于1994年制備出4H-SiC晶片。這一突破性進(jìn)展立即掀起了SiC晶體及相關(guān)技術(shù)研究的熱潮。目前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的SiC晶片只有4H-和6H-型,且均采用PVD技術(shù),以美國(guó)CreeResearch Inc為**。采用此法已逐步提高SiC晶體的質(zhì)量和直徑達(dá)7.5cm,目前晶圓直徑已超過(guò)10cm,比較大有用面積達(dá)到40mm2,微導(dǎo)管密度已下降到小于0.1/cm2。如何選擇一家好的碳化硅襯底公司。

    那氮化鎵外延層為啥也要在碳化硅單晶襯底上長(zhǎng)呢?理論上講,氮化鎵外延層比較好當(dāng)然用本身氮化鎵的單晶襯底,不過(guò)在之前的文章中也有提到,氮化鎵的單晶實(shí)在是太難做了點(diǎn),不僅反應(yīng)過(guò)程難以控制、長(zhǎng)得特別慢,而且面積較小、價(jià)格昂貴,商業(yè)化很是困難,而碳化硅和氮化鎵有著超過(guò)95%的晶格適配度,性能指標(biāo)遠(yuǎn)超其他襯底材料(如藍(lán)寶石、硅、砷化鎵等),因此碳化硅基氮化鎵外延片成為比較好選擇。綜上所述,很容易理解為何碳化硅在業(yè)內(nèi)會(huì)有“黃金賽道”這樣的美稱(chēng)。對(duì)于碳化硅器件而言,其價(jià)值鏈可分為襯底—外延—晶圓—器件,其中襯底所占的成本比較高為50%——主要原因單晶生長(zhǎng)緩慢且品質(zhì)不夠穩(wěn)定,這也是早年時(shí)SiC沒(méi)能得到的推廣的主要原因。不過(guò)如今隨著技術(shù)缺陷不斷得到補(bǔ)足,碳化硅單晶襯底的成本正不斷下降,可預(yù)期未來(lái)會(huì)是“錢(qián)”景無(wú)限。以下是國(guó)內(nèi)部分碳化硅襯底供應(yīng)商名單。 蘇州性?xún)r(jià)比較好的碳化硅襯底的公司聯(lián)系電話(huà)。江蘇碳化硅襯底進(jìn)口6寸sic

如何正確使用碳化硅襯底的。江蘇碳化硅襯底進(jìn)口6寸sic

    以碳化硅為的第三代半導(dǎo)體材料,被譽(yù)為繼硅材料之后有前景的半導(dǎo)體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體功率器件和5G通訊等領(lǐng)域。按照襯底電學(xué)性能的不同,碳化硅襯底可分為兩類(lèi):一類(lèi)是具有高電阻率(電阻率≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類(lèi)是低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件,導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與硅片一樣,碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)等規(guī)格,正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。 江蘇碳化硅襯底進(jìn)口6寸sic

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