隨著全球電子信息及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)對硅晶片需求量的快速增長，硅晶片線切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。

 以碳化硅（SiC）及GaN為**的寬禁帶材料，是繼Si和GaAs之后的第三代半導(dǎo)體。與Si及GaAs相比，SiC具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。所以，SiC特別適合于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件。此外，六方SiC與GaN晶格和熱膨脹相匹配，也是制造高亮度GaN發(fā)光和激光二極管的理想襯底材料。SiC晶體目前主要應(yīng)用于光電器件如藍(lán)綠光發(fā)光二極管以及紫外光激光二極管和功率器件包括大功率肖托基二極管，MES晶體管微波器件等。

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點(diǎn)。進(jìn)口碳化硅襯底6寸sic

       采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小，且在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢。此外，碳化硅除了用作LED襯底，它還可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如肖特基二極管（SBD/JBS）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、晶閘管（GTO）、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等，用于智能電網(wǎng)、太陽能并網(wǎng)、電動(dòng)汽車等行業(yè)。與傳統(tǒng)硅基功率電力電子器件相比，碳化硅基功率器件可以**降低能耗，節(jié)約電力。比如一臺35kW的太陽能光伏并網(wǎng)逆變器，全部使用硅器件，能耗可達(dá)2.8kW，轉(zhuǎn)換效率為92%，全部換成碳化硅的器件后，能耗可低至1.4kW，約為硅逆變器的50%，轉(zhuǎn)換效率上升4%，為96%，一座30MW的太陽能發(fā)電站，全部使用碳化硅功率器件后可節(jié)約大量電能，節(jié)能效果十分***。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩(wěn)定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負(fù)擔(dān)，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化和一體化。碳化硅基電力電子器件已經(jīng)應(yīng)用于新一代航空母艦的電磁彈射系統(tǒng)，大幅度提高了艦載機(jī)起降效率，增強(qiáng)了航母作戰(zhàn)性能。 進(jìn)口碳化硅襯底6寸sicSiC的基本結(jié)構(gòu)單元是Si-C四面體，屬于密堆積結(jié)構(gòu)。

采用SiC的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS電源、驅(qū)動(dòng)器和汽車等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會隨之而來。 到2021年，SiC功率器件市場總額預(yù)計(jì)將上升到10億美元 。在某些市場，如太陽能，SiC器件已投入運(yùn)行，盡管事實(shí)上這些模塊的價(jià)格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價(jià)格更高也心甘情愿地被接受？首先，作為寬禁帶材料，SiC提供了功率半導(dǎo)體器件的新設(shè)計(jì)方法。傳統(tǒng)功率硅技術(shù)中，IGBT開關(guān)被用于高于600V的電壓，并且硅PIN-續(xù)流二極管是**技術(shù)的。硅功率器件的設(shè)計(jì)與軟開關(guān)特性造成相當(dāng)大的功率損耗。有了SiC的寬禁帶，可設(shè)計(jì)阻斷電壓高達(dá)15kV的高壓MOSFET，同時(shí)動(dòng)態(tài)損耗非常小。有了SiC，傳統(tǒng)的軟關(guān)斷硅二極管可由肖特基二極管取代，并帶來非常低的開關(guān)損耗。作為一個(gè)額外的優(yōu)勢，SiC具有比硅高3倍的熱傳導(dǎo)率。連同低功率損耗，SiC是提高功率模塊**率密度的一種理想材料。

  此外，碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底[3]、石墨烯外延襯底[4]、人工鉆石。碳化硅（指半絕緣型）是射頻微波器件的理想襯底材料，以之為襯底的微波器件其輸出功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的10倍以上，工作頻率達(dá)到100GHz以上，可以***提高雷達(dá)、通信、電子對抗以及智能武器的整體性能和可靠性，使用碳化硅基微波器件的雷達(dá)其測距由原來的80～100km提升到現(xiàn)在的超過300km。在碳化硅襯底上外延生長石墨烯，可望制造高性能的石墨烯集成電路，是當(dāng)前國際研發(fā)的熱點(diǎn)，IBM（美國）已經(jīng)投入了巨資進(jìn)行研發(fā)[5]，并取得了重要進(jìn)展，在半絕緣型碳化硅上創(chuàng)建了全球較早全功能石墨烯集成電路[6]。碳化硅晶體的硬度僅次于鉆石，其明亮度、光澤度和火彩甚至超過了鉆石，基于碳化硅的人工鉆石（莫桑鉆）也已經(jīng)面市。碳化硅半導(dǎo)體完整產(chǎn)業(yè)鏈條包括：碳化硅原料-晶錠-襯底-外延-芯片-器件-模塊。

碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，飛利浦（荷蘭）實(shí)驗(yàn)室的Lely才開發(fā)出生長***碳化硅晶體材料的方法。到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC襯底進(jìn)入市場，進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC襯底的商業(yè)應(yīng)用才算***鋪開。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類共260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值，美國科銳（Cree）等公司已經(jīng)批量生產(chǎn)這類襯底。立方相（3C-SiC）還不能獲得有商業(yè)價(jià)值的成品。p-SiC電子遷移率比較高，飽和電子漂移速度**快，擊穿電場**強(qiáng)，較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件等。河南碳化硅襯底進(jìn)口導(dǎo)電

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。進(jìn)口碳化硅襯底6寸sic

近年來銷售競爭能力大幅度提高，成為全球精細(xì)化工產(chǎn)業(yè)極具活力、發(fā)展**快的市場。據(jù)統(tǒng)計(jì)，21世紀(jì)初期，歐美等發(fā)達(dá)地區(qū)的精細(xì)化工率已達(dá)到70%左右。作為陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液的重要組成部分，防銹顏料發(fā)揮著減緩金屬腐蝕的效果，常見的含重金屬的防銹顏料雖然性能優(yōu)異，但對環(huán)境會造成極大污染，因而在實(shí)際使用中逐漸受到限制。與此同時(shí)，化工行業(yè)市場競爭加劇，將物流環(huán)節(jié)從生產(chǎn)企業(yè)剝離出來實(shí)現(xiàn)整體外包，繼而推行第三方物流以及供應(yīng)鏈管理，是私營有限責(zé)任公司企業(yè)增強(qiáng)市場競爭力的另一突破。是對蘇州豪麥瑞材料科技有限公司（Homray Material Company）成立于2014年，是由一群在半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)多年的專業(yè)團(tuán)隊(duì)所組成，專注于半導(dǎo)體技術(shù)和資源的發(fā)展與整合，現(xiàn)以進(jìn)口碳化硅晶圓，供應(yīng)切割、研磨及拋光等相關(guān)制程的材料與加工設(shè)備，氧化鋁研磨球，氧化鋯研磨球，陶瓷研磨球，陶瓷精加工，拋光液。產(chǎn)品差異化和專業(yè)化的發(fā)展要求，將會為企業(yè)發(fā)展帶來新的生機(jī)，需要發(fā)展一些**產(chǎn)品、特種性能產(chǎn)品及差異化產(chǎn)品來滿足市場分層次的需求。進(jìn)口碳化硅襯底6寸sic

蘇州豪麥瑞材料科技有限公司坐落在蘇州市工業(yè)園區(qū)唯華路3號君地商務(wù)廣場5棟602室，是一家專業(yè)的蘇州豪麥瑞材料科技有限公司（Homray Material Company）成立于2014年，是由一群在半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)多年的專業(yè)團(tuán)隊(duì)所組成，專注于半導(dǎo)體技術(shù)和資源的發(fā)展與整合，現(xiàn)以進(jìn)口碳化硅晶圓，供應(yīng)切割、研磨及拋光等相關(guān)制程的材料與加工設(shè)備，氧化鋁研磨球，氧化鋯研磨球，陶瓷研磨球，陶瓷精加工，拋光液。公司。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。蘇州豪麥瑞材料科技有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司深耕陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。