目前已出現(xiàn)了另一種碳化硅晶體生長方法，即采用高溫化學(xué)氣相沉積方法（HTCVD）。它是用氣態(tài)的高純碳源和硅源，在2 200℃左右合成碳化硅分子，然后在籽晶上凝聚生長，生長速率一般為0.5～1mm/h左右，略高于PVT法，也有研究機(jī)構(gòu)可做到2mm/h的生長速率。氣態(tài)的高純碳源和硅源比高純SiC粉末更容易獲得，成本更低。由于氣態(tài)源幾乎沒有雜質(zhì)，因此，如果生長時不加入n型摻雜劑或p型摻雜劑，生長出的4H-SiC就是高純半絕緣（HPSI）半導(dǎo)體。HPSI與SI是有區(qū)別的，前者載流子濃度3.5×1013～8×1015/cm3范圍，具有較高的電子遷移率；后者同時進(jìn)行n、p補(bǔ)償，是高阻材料，電阻率很高，一般用于微波器件襯底，不導(dǎo)電。如果要生長n型摻雜或p型摻雜的4H-SiC也非常好控制，只要分別通入氮或者硼的氣態(tài)源就可以實現(xiàn)，而且通過控制通入的氮或者硼的流量，就可以控制碳化硅晶體的導(dǎo)電強(qiáng)弱。目前瑞典的Norstel AB公司采用HTCVD商業(yè)化生產(chǎn)碳化硅襯底材料（n型、p型、H P S I型），它采用瑞典林雪平大學(xué)的生長技術(shù)，目前已有4英寸H P S I型4H - S i C襯底出售碳化硅由于其獨(dú)特的物理及電子特性，在一些應(yīng)用上成為短波長光電元件，高溫，抗幅射以及高頻大功率元件。浙江碳化硅襯底4寸導(dǎo)電

碳化硅（SIC）是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有***成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進(jìn)一步向前發(fā)展。用戶正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應(yīng)用于具體且具有發(fā)展前景的項目。蘇州碳化硅襯底進(jìn)口n型碳化硅被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體材料，其具有眾多優(yōu)異的物理化學(xué)特性應(yīng)用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。

       采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小，且在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢。此外，碳化硅除了用作LED襯底，它還可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如肖特基二極管（SBD/JBS）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、晶閘管（GTO）、金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等，用于智能電網(wǎng)、太陽能并網(wǎng)、電動汽車等行業(yè)。與傳統(tǒng)硅基功率電力電子器件相比，碳化硅基功率器件可以**降低能耗，節(jié)約電力。比如一臺35kW的太陽能光伏并網(wǎng)逆變器，全部使用硅器件，能耗可達(dá)2.8kW，轉(zhuǎn)換效率為92%，全部換成碳化硅的器件后，能耗可低至1.4kW，約為硅逆變器的50%，轉(zhuǎn)換效率上升4%，為96%，一座30MW的太陽能發(fā)電站，全部使用碳化硅功率器件后可節(jié)約大量電能，節(jié)能效果十分***。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩(wěn)定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負(fù)擔(dān)，實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化和一體化。碳化硅基電力電子器件已經(jīng)應(yīng)用于新一代航空母艦的電磁彈射系統(tǒng)，大幅度提高了艦載機(jī)起降效率，增強(qiáng)了航母作戰(zhàn)性能。

碳化硅耐高溫，與強(qiáng)酸、強(qiáng)堿均不起反應(yīng)，導(dǎo)電導(dǎo)熱性好，具有很強(qiáng)的抗輻射能力。用碳化硅粉直接升華法可制得大體積和大面積碳化硅單晶。用碳化硅單晶可生產(chǎn)綠色或藍(lán)色發(fā)光二極管、場效應(yīng)晶體管，雙極型晶體管。用碳化硅纖維可制成雷達(dá)吸波材料，在***工業(yè)中前景廣闊。碳化硅超精細(xì)微粉是生產(chǎn)碳化硅陶瓷的理想材料。碳化硅陶瓷具有優(yōu)良的常溫力學(xué)性能，如高的抗彎強(qiáng)度，優(yōu)良的抗氧化性，耐腐蝕性，非常高的抗磨損以及低的磨擦系數(shù)，而且高溫力學(xué)性能（強(qiáng)度、抗蠕變性等）是已知陶瓷材料中比較好的材料，如晶須補(bǔ)強(qiáng)可改善碳化硅的韌性和強(qiáng)度。

由于碳化硅優(yōu)異的理化性能，使其在石油、化工、微電子、汽車、航天航空、激光、原子能、機(jī)械、冶金行業(yè)中***得到應(yīng)用。如砂輪、噴咀、軸承、密封件、燃?xì)廨啓C(jī)動靜葉片，反射屏基片，發(fā)動機(jī)部件，耐火材料等。 SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出**由于其特有的物理化學(xué)特性成為制作高頻、大功率、高溫器件的理想材料。

目前以SiC碳化硅為**的第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬、熱導(dǎo)率高，擊穿場強(qiáng)高，飽和電子漂移速率高，化學(xué)性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點，可***用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，用SiC碳化硅襯底開發(fā)的電力電子器件（SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等）用在輸變電、風(fēng)力發(fā)電、太陽能、混合動力汽車等電力電子領(lǐng)域，降低電力損失，減少發(fā)熱量，高溫工作，提高效率，增加可靠性等優(yōu)點SiC單晶生長經(jīng)歷了3個階段，即Acheson法、Lely法、改良Lely法。青島led碳化硅襯底

在現(xiàn)已開發(fā)的寬禁帶半導(dǎo)體中,碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是研究**為成熟的一種。浙江碳化硅襯底4寸導(dǎo)電

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點，在半導(dǎo)體領(lǐng)域最常見的是具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的4H-SiC和6H-SiC。21世紀(jì)以來以Si為基本材料的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)已有長足的發(fā)展，隨著MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，Si材料本身的性能局限性制約了Si基MEMS在高溫、高頻、強(qiáng)輻射及化學(xué)腐蝕等極端條件下的應(yīng)用。因此尋找Si的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半導(dǎo)體材料中，SiC的機(jī)械強(qiáng)度、熱學(xué)性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優(yōu)勢，且與IC工藝兼容，故而在極端條件的MEMS應(yīng)用中，成為Si的優(yōu)先替代材料。浙江碳化硅襯底4寸導(dǎo)電

蘇州豪麥瑞材料科技有限公司位于蘇州市工業(yè)園區(qū)唯華路3號君地商務(wù)廣場5棟602室，擁有一支專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊。專業(yè)的團(tuán)隊大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗，熟悉行業(yè)專業(yè)知識技能，致力于發(fā)展HOMRAY的品牌。公司以用心服務(wù)為重點價值，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將蘇州豪麥瑞材料科技有限公司（Homray Material Company）成立于2014年，是由一群在半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)多年的專業(yè)團(tuán)隊所組成，專注于半導(dǎo)體技術(shù)和資源的發(fā)展與整合，現(xiàn)以進(jìn)口碳化硅晶圓，供應(yīng)切割、研磨及拋光等相關(guān)制程的材料與加工設(shè)備，氧化鋁研磨球，氧化鋯研磨球，陶瓷研磨球，陶瓷精加工，拋光液。等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。蘇州豪麥瑞材料科技有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液，堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。