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組成,F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,目前硅是較常見(jiàn)的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),或者溝道。大部分的不常見(jiàn)體材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,或者有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體。有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于有機(jī)半導(dǎo)體,常常用有機(jī)柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào), 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色,能夠保持較低的失真和較高的效率。單極型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位
與雙極型晶體管相比,場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID(漏極電流);(2)場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);(5)場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng);(6)由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低?;葜萋O場(chǎng)效應(yīng)管定制價(jià)格場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn),使得其性能更加穩(wěn)定,可靠性更高。
場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
功耗低場(chǎng)效應(yīng)管在電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)中的應(yīng)用:電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程和電池壽命很大程度上取決于電池管理系統(tǒng),功耗低場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。電池管理系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池的電壓、電流、溫度等參數(shù),精確控制充放電過(guò)程,以確保電池的安全和高效使用。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于系統(tǒng)電路后,能夠明顯降低自身能耗,減少電池的額外負(fù)擔(dān)。同時(shí),其穩(wěn)定的性能確保了電池狀態(tài)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性,避免因監(jiān)測(cè)誤差導(dǎo)致的電池過(guò)充、過(guò)放等問(wèn)題,從而延長(zhǎng)電池使用壽命。這不僅提升了電動(dòng)汽車(chē)的整體性能,讓用戶無(wú)需擔(dān)憂續(xù)航問(wèn)題,還推動(dòng)了新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,為實(shí)現(xiàn)綠色出行、減少碳排放做出了積極貢獻(xiàn)。場(chǎng)效應(yīng)管的特性可以通過(guò)外部電路的調(diào)整來(lái)滿足不同的應(yīng)用需求。
這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開(kāi)關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過(guò)。如果受一個(gè)加上的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電路中較高或較低的電壓相連,根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起,因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中較高或較低的電壓上。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒(méi)有這樣的結(jié)構(gòu),比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。選型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率、功率需求等因素。MOS場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管也可以用作開(kāi)關(guān),可以控制電路的通斷。單極型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位
場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù):一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS:是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。三、開(kāi)啟電壓。開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。四、跨導(dǎo)。跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。單極型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位