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成都油性光刻膠工廠

來源: 發(fā)布時間:2025-05-06

吉田半導(dǎo)體 SU-3 負(fù)性光刻膠:國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性,已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝,不采用國外材料,成本較進口產(chǎn)品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
納米壓印光刻膠哪家強?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!成都油性光刻膠工廠

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國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點投資領(lǐng)域,計劃投入超500億元支持樹脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā),相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。

地方專項政策:湖北省對通過驗證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購補貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程國產(chǎn)化技術(shù)獲中芯國際百萬級訂單;福建省提出2030年化工新材料自給率達90%,光刻膠是重點突破方向。

研發(fā)專項:科技部“雙十計劃”設(shè)立20億元經(jīng)費,要求2025年KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率突破10%,并啟動EUV光刻膠預(yù)研。
廣東激光光刻膠品牌正性光刻膠生產(chǎn)廠家。

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? 化學(xué)反應(yīng):

? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;

? 負(fù)性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5. 顯影(Development)

? 顯影液:

? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;

? 負(fù)性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。

? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導(dǎo)體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘(Post-Bake)

? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件:

? 溫度:100-150℃(半導(dǎo)體用正性膠可能更高,如180℃);

? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。

7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)

? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);

? 離子注入:膠膜保護未曝光區(qū)域,使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域(半導(dǎo)體摻雜工藝)。

8. 去膠(Strip)

? 方法:

? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導(dǎo)體領(lǐng)域,無殘留)。

市場拓展

? 短期目標(biāo):2025年前實現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%,半導(dǎo)體負(fù)性膠進入中芯國際、華虹供應(yīng)鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。

? 長期愿景:成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。

. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金,獲設(shè)備采購補貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。

? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心,共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù),縮短客戶驗證周期(目前平均12-18個月)。

. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對

? 技術(shù)壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴進口,計劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm2)。

? 供應(yīng)鏈風(fēng)險:部分原材料(如樹脂)進口占比超60%,正推進“國產(chǎn)替代計劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。
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以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動,吉田半導(dǎo)體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術(shù)。
面對極紫外光刻技術(shù)挑戰(zhàn),吉田半導(dǎo)體與中科院合作開發(fā)化學(xué)放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm2)和耐蝕性(>80%)指標(biāo)上取得階段性進展。同時,公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā),對標(biāo)日本王子控股技術(shù),探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用。這些技術(shù)儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術(shù)中占據(jù)重要地位。半導(dǎo)體光刻膠:技術(shù)領(lǐng)域取得里程碑。山東紫外光刻膠生產(chǎn)廠家

松山湖企業(yè)深耕光刻膠領(lǐng)域二十載,提供全系列半導(dǎo)體材料解決方案。成都油性光刻膠工廠

國際標(biāo)準(zhǔn)與客戶認(rèn)證
公司通過ISO9001、ISO14001等認(rèn)證,并嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理,生產(chǎn)環(huán)境潔凈度達Class 10級。其光刻膠產(chǎn)品已通過京東方、TCL華星的供應(yīng)商認(rèn)證,在顯示面板領(lǐng)域的市占率約5%,成為本土企業(yè)中少數(shù)能與日本JSR、德國默克競爭的廠商。

全流程可追溯體系
吉田半導(dǎo)體建立了從原材料入庫到成品出庫的全流程追溯系統(tǒng),關(guān)鍵批次數(shù)據(jù)(如樹脂分子量分布、光敏劑純度)實時上傳云端,確保產(chǎn)品一致性和可追溯性。這一體系使其在車規(guī)級芯片等對可靠性要求極高的領(lǐng)域獲得突破,2023年車用光刻膠銷售額同比增長120%。
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標(biāo)簽: 光刻膠 錫片