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湖南UV納米光刻膠品牌

來源: 發(fā)布時間:2025-05-08

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造:

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。

 印刷電路板(PCB):

? 保護(hù)電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。

 顯示面板(LCD/OLED):

? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS):

? 加工微結(jié)構(gòu)(如傳感器、執(zhí)行器)。

工作原理(以正性膠為例)

1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。

2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區(qū)域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。

3. 顯影:用顯影液溶解曝光區(qū)域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續(xù)工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。

UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長期可靠性高,粘接強(qiáng)度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn),重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢,應(yīng)用場景。


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  1. 產(chǎn)品特點(diǎn):耐溶劑型優(yōu)良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優(yōu)良;經(jīng)特殊乳化聚合技術(shù)處理,網(wǎng)版平滑、無白點(diǎn)、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網(wǎng)版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)和線條;感光度高,曝光時間短,曝光寬容度大,節(jié)省網(wǎng)版作業(yè)時間,提高工作效率 。
  2. 應(yīng)用范圍:適用于塑料、皮革、標(biāo)牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產(chǎn)品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細(xì)印刷需求,制作各類標(biāo)牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司的產(chǎn)品體系豐富且功能強(qiáng)大。

在光刻膠領(lǐng)域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細(xì)光刻環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵支持,確保芯片線路的精細(xì)刻畫;

納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細(xì)的微納結(jié)構(gòu);

LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產(chǎn)過程中的光刻需求,保障面板成像質(zhì)量。

在電子焊接方面,半導(dǎo)體錫膏與焊片性能,能實(shí)現(xiàn)可靠的電氣連接,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備組裝。

靶材產(chǎn)品在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用,通過精細(xì)控制材料沉積,為半導(dǎo)體器件制造提供高質(zhì)量的薄膜材料。憑借出色品質(zhì),遠(yuǎn)銷全球,深受眾多世界 500 強(qiáng)企業(yè)和電子加工企業(yè)青睞 。 松山湖光刻膠廠家吉田,2000 萬級產(chǎn)能,48 小時極速交付!

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 研發(fā)投入

? 擁有自己實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì),研發(fā)費(fèi)用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體、低缺陷納米壓印膠等前沿領(lǐng)域,與中山大學(xué)、華南理工大學(xué)建立產(chǎn)學(xué)研合作。

? 專項(xiàng)布局:累計申請光刻膠相關(guān)的項(xiàng)目30余項(xiàng),涵蓋樹脂合成、配方優(yōu)化、涂布工藝等細(xì)致環(huán)節(jié)。

 生產(chǎn)體系

? 全自動化產(chǎn)線:采用德國曼茨(Manz)涂布設(shè)備、日本島津(Shimadzu)檢測儀器,年產(chǎn)能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規(guī)模量產(chǎn)。

? 潔凈環(huán)境:生產(chǎn)車間達(dá)萬級潔凈標(biāo)準(zhǔn)(ISO 8級),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個/cm2。
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工藝流程

? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強(qiáng)感光膠附著力。

? 方法:

? 化學(xué)清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);

? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。

 涂布(Coating)

? 方式:

? 旋涂:半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級),轉(zhuǎn)速500-5000rpm;

? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負(fù)性膠可達(dá)100μm)。

? 關(guān)鍵參數(shù):膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。

 前烘(Soft Bake)

? 目的:揮發(fā)溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。

? 條件:

? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負(fù)性膠可至100℃以上);

? 時間:5-30分鐘(根據(jù)膠厚調(diào)整,厚膠需更長時間)。

 曝光(Exposure)

? 光源:

? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統(tǒng)光刻(分辨率≥1μm);

? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程(分辨率至20nm);

? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。

? 曝光方式:

? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);

? 投影式:通過物鏡聚焦(半導(dǎo)體,分辨率高,如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm)。

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標(biāo)簽: 光刻膠 錫片