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甘肅3微米光刻膠報價

來源： 發(fā)布時間：2025-06-18

LCD顯示

? 彩色濾光片（CF）：

? 黑色矩陣（BM）光刻膠：隔離像素，線寬精度±2μm，透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠：形成紅/綠/藍(lán)像素，需高色純度（NTSC≥95%）和耐光性。

? 陣列基板（Array）：

? 柵極絕緣層光刻膠：用于TFT-LCD的柵極圖案化，分辨率≤3μm。

 OLED顯示（柔性/剛性）

? 像素定義層（PDL）光刻膠：在基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu)，線寬精度±1μm，需耐溶劑侵蝕（適應(yīng)蒸鍍工藝）。

? 觸控電極（如ITO/PET）：通過光刻膠圖形化實現(xiàn)透明導(dǎo)電線路，線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備：使用高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）定義微米級LED陣列，良率要求>99.99%。
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技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細(xì)分領(lǐng)域突破

 全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，實現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域。
技術(shù)壁壘：公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達(dá)PPT級。

 細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)先進(jìn)

? 納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領(lǐng)域（如量子點顯示、生物芯片）實現(xiàn)技術(shù)突破，分辨率達(dá)3μm，填補(bǔ)國內(nèi)空缺。

? LCD光刻膠：針對顯示面板行業(yè)需求，開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)。

 研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術(shù)性企業(yè)認(rèn)證，與新材料領(lǐng)域同伴們合作開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠，計劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)。
杭州正性光刻膠國產(chǎn)廠商吉田半導(dǎo)體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。

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技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)

 半導(dǎo)體先進(jìn)制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個），開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。

 環(huán)保與低成本：

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。

 新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；

? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個/cm2）。

? PCB負(fù)性膠：

? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產(chǎn)化率超60%；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。

? MEMS厚膠：

? 美國陶氏的SU-8：實驗室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；

? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級MEMS制造。

光刻膠的工作原理：
1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區(qū)域曝光。

2. 化學(xué)變化：曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)（正性膠曝光后溶解，負(fù)性膠曝光后交聯(lián)不溶）。

3. 顯影與刻蝕：溶解未反應(yīng)的部分，留下圖案化的膠層，作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉(zhuǎn)移到基底上。

在納米技術(shù)中，關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術(shù)（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。

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吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：

  • 芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國際、長江存儲，支持國產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
  • 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
  • 新能源領(lǐng)域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認(rèn)證，批量應(yīng)用于寧德時代儲能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。
  • 研發(fā)投入：年研發(fā)費用占比超 15%，承擔(dān)國家 02 專項課題，獲 “國家技術(shù)發(fā)明二等獎”。
  • 產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
  • 質(zhì)量體系：通過 ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證，生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理，批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。
吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā)，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破，目標(biāo)在 2027 年前實現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時，深化國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同，構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎，走出了一條中國半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來，公司將以更具競爭力的產(chǎn)品與技術(shù)，助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺階。
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作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)推出符合國際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料解決方案。

公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方，嚴(yán)格遵循 RoHS 指令要求，避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例，其零鹵素配方通過第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證，不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負(fù)擔(dān)，還提升了焊接可靠性，適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時，納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中，公司通過優(yōu)化原料配比，減少揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs）排放，確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)。

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標(biāo)簽： 光刻膠 錫片 錫膏