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東莞功率器件光刻

來源: 發(fā)布時間:2023-05-12

光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導體產(chǎn)業(yè)的迫切需要;自從中美貿(mào)易摩擦依賴,中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導體材料領域,光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”,是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導制程的中心工藝,對制造出更先進,晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配?,F(xiàn)在,一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學院半導體研究所。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發(fā)展起來的半導體關鍵工藝技術。東莞功率器件光刻

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整個光刻顯影過程中,TMAH沒有同PHS發(fā)生反應。負性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。顯影中的常見問題:a、顯影不完全(IncompleteDevelopment)。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成;b、顯影不夠(UnderDevelopment)。顯影的側壁不垂直,由顯影時間不足造成;c、過度顯影(OverDevelopment)??拷砻娴墓饪棠z被顯影液過度溶解,形成臺階。顯影時間太長。硬烘方法:熱板,100~130C(略高于玻璃化溫度Tg),1~2分鐘。目的:完全蒸發(fā)掉光刻膠里面的溶劑(以免在污染后續(xù)的離子注入環(huán)境,例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂);河南光刻服務價格接觸式曝光的曝光精度大概只有1微米左右,能夠滿足大部分的單立器件的使用。

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在光刻圖案化工藝中,首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中,光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化,在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中,會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕,較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上,這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代,聯(lián)同其他多個物理過程,便產(chǎn)生集成電路。

敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中,不被刻蝕或抗擊離子轟擊,從而保護被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標準進行分類:按照化學反應和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負性光刻膠;如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。根據(jù)感光樹脂的化學結構來分類,光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯(lián)型三種類別。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑(或稱光刻膠)的襯底上。

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光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場87%的份額,行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導體光刻膠中心技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司。整個光刻膠市場格局來看,日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國大陸對于電子材料,特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。廣東省科學院半導體研究所。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘等工序。河北硅片光刻

光刻機又被稱為:掩模對準曝光機、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。東莞功率器件光刻

光聚合型光刻膠采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進一步引發(fā)單體聚合,較后生成聚合物;光分解型光刻膠,采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應,可以制成正性光刻膠;光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結構,而起到抗蝕作用,可以制成負性光刻膠。動態(tài)噴灑法:隨著硅片尺寸越來越大,靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。東莞功率器件光刻

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