當(dāng)周圍光線較弱時，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導(dǎo)通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當(dāng)周圍光線增強時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應(yīng)在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達(dá)到要求。光敏電阻RG應(yīng)安裝在臺燈底座側(cè)面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺燈，調(diào)RP可選擇適當(dāng)?shù)母呙芏?；S撥向1為自動臺燈，先調(diào)RP選擇好適當(dāng)亮度，如環(huán)境照度變暗時，臺燈亮度會逐漸變亮，增大照度。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（四）如圖所示是一種簡易的光控開關(guān)。在一些公共場所，如樓道、路燈等裝上自動光控開關(guān)，不僅方便而且也節(jié)電。它在天黑時會自動開燈，天亮?xí)r自動熄滅。調(diào)節(jié)Ω電位器，可適用于不同型號的光敏電阻及在一定的條件（黑暗程度）下亮燈。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（五）該太陽能光控定時節(jié)能照明燈電路是由太陽能電池、蓄電池、光控電路、定時電路和節(jié)能燈驅(qū)動電路幾部分組成。正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家

    晶閘管軟起動的起動方式1、全壓起動在這種狀態(tài)下（圖1），軟起動裝置相當(dāng)一個固態(tài)接觸器，電機和直接起動一樣，承受全部的電流沖擊和轉(zhuǎn)矩沖擊，一般情況下晶閘管全開時間控制在：圖1全壓起動2、電壓斜坡起動該模式是比較長用的起動模式。它通過減少起動力矩的沖擊，實現(xiàn)對電機平滑、連續(xù)無級加速的起動，從而使齒輪、連軸結(jié)和皮帶的摩擦減小到比較低。用戶可以調(diào)節(jié)電機的初始轉(zhuǎn)矩，在加速斜坡時間內(nèi)，電機的輸入電壓從設(shè)置的初始轉(zhuǎn)矩對應(yīng)的電壓線性上升，把傳統(tǒng)的降壓起動變有級為無級，從而可以使電機平滑的起動，減少了機械方面的沖擊。圖2電壓斜坡起動3、限流起動限流起動，顧名思義，就是在電動機起動過程中把起動電流限制到某一設(shè)定電流值以下。主要用在相對較輕負(fù)載起動，并且對電網(wǎng)沖擊有一定要求的工況下，其輸入電壓從零開始迅速增長，直到其電流達(dá)到預(yù)先設(shè)定的電流限值，然后在保證輸出電流不大于電流限值的情況下，改變晶閘管的導(dǎo)通角，逐漸升高電壓，直到額定電壓。與此同時，電動機的轉(zhuǎn)速也在逐漸上升，到達(dá)額定轉(zhuǎn)速。這種起動的優(yōu)點是起動電流較小，可以把電動機起動對電網(wǎng)的沖擊降到**小，并可按照需要進(jìn)行設(shè)定限流值。聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時能輸出的較大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過程滿足客戶的***需求。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極，只要GTO維持通態(tài)，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導(dǎo)通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)，即可迅速估測關(guān)斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。。正高電氣傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。威海MTDC30晶閘管智能模塊報價

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晶閘管模塊常用的保護措施

① 過電流保護

過流保護一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護效果，因為兩倍于快速熔斷器額定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護功能的模塊或具有過流保護功能的控制板。

②過電壓保護

模塊的過壓保護，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯(lián)芯片可共用一組。 聊城MTAC100晶閘管智能模塊廠家

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