設備介紹超快激光玻璃晶圓切割設備，配備好品質皮秒激光器，通過超高峰值功率的皮秒激光在玻璃晶圓內部產生非線性自聚焦效應，達到激光成絲切割的效果。該設備還可應用于各類透明脆性材料的快速劃線、切割。二、設備特點?高性能皮秒激光器具有超高峰值功率、高光束質量和穩(wěn)定性、超窄脈寬，聚焦光斑極小，*2-3μm，采用全新的貝塞爾激光成絲技術，可實現3mm玻璃晶圓一刀切；?采用高精密直線電機和全閉環(huán)光柵檢測控制系統，加工臺面可達400×400mm，保證穩(wěn)定高效生產；?配備高像素視覺定位系統，可抓取各類Mark點及輪廓，實現高精度圖像定位加工；?采用天然大理石的機床基座、高剛性結構設計以及減震機床腳杯，很大程度減輕加速過程中產生的慣性震動，并可有效防止環(huán)境溫度變化引起的床身精度變化。無錫超快激光玻璃晶圓切割設備的廠家優(yōu)勢。江蘇銷售超快激光玻璃晶圓切割設備廠家報價

主要性能參數產品型號CTI-GlassCut皮秒激光器激光器波長1064 nm激光器脈寬10 ps平均峰值功率50W切割頭切割焦深5 mm**小光斑1-2 um切割精度±20 um崩邊<5 um切割速度100mm/s (3mm白玻璃)工作平臺參數平臺形式XY直線電機基座高精度大理石平臺加工范圍400×400 mm（可定制）定位精度±3 um重復定位精度±2 um比較大速度1000 mm/sCCD工業(yè)相機600W鏡頭遠心鏡頭系統屬性支持文件格式DXF等常規(guī)CAD格式環(huán)境要求溫度：20-30℃，濕度：<60%電力需求380V/50Hz/10KVA自制超快激光玻璃晶圓切割設備哪家強無錫超快激光玻璃晶圓切割設備多少錢一個？

激光劃片在晶圓加工方面具備以下優(yōu)勢：1.激光劃片采用的高光束質量的光纖激光器，對芯片的電性影響較小，可以提供更高的劃片成品率。2.激光劃片速度為150mm/s。劃片速度較**.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。可以切割一些較復雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。4.激光劃片不用去離子水，可24小時連續(xù)作業(yè)5.激光劃片具有更好的兼容性和通用性。超通智能在激光晶圓處理上就具備豐富的經驗，如刀輪切割設備，外觀尺寸小型化，占地面積小，切割行程**功率主軸，高速高精度電機，閉環(huán)運動控制，確保生產效率。

近年來光電產業(yè)的快速發(fā)展，高集成度和高性能的半導體晶圓需求不斷增長，硅、碳化硅、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應用于半導體晶圓的襯底材料。隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向于輕薄化，傳統的很多加工方式已經不再適用，于是在部分工序引入了激光隱形切割技術。半導體晶圓的激光隱形切割技術是一種全新的激光切割工藝，具有切割速度快、切割不產生粉塵、無切割基材耗損、所需切割道小、完全干制程等諸多優(yōu)勢。隱切切割主要原理是將短脈沖激光光束透過材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質層，然后通過外部施加壓力使芯片分開。超快激光玻璃晶圓切割設備如何選擇？無錫超通智能告訴您。

晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。國內晶圓以 8英寸和 12 英寸為主。晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設備值得推薦。江蘇銷售超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

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硅作為第三代半導體材料，一直受到業(yè)界追捧，可材料始終是材料，就好比礦，沒有復雜的工藝處理，他就是一堆石頭，那半導體材料這樣偏精細的物質，那自然得有一套成熟的工藝，那首要的就是晶圓的加工。我們常用的半導體材料精細，成本高，而且刀片劃片容易產生圓晶破損和刀具損壞，刀具還要頻繁的更換，后期運行成本高。激光劃片屬于無接觸式加工，對圓晶損傷小，聚焦的優(yōu)點更是在晶圓的微處理上更具優(yōu)越性等更適用于圓晶劃片處理。江蘇銷售超快激光玻璃晶圓切割設備廠家報價

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