推挽驅(qū)動(dòng)是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。如果輸出級(jí)的有兩個(gè)三極管，始終處于一個(gè)導(dǎo)通、一個(gè)截止的狀態(tài)，也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入低電平時(shí)，輸出端的電流將是下級(jí)門灌入T4；當(dāng)輸出高電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入高電平時(shí)，輸出端的電流將是下級(jí)門從本級(jí)電源經(jīng) T3、D1 拉出。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。崇明區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來實(shí)現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測(cè)R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷，維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。寶山區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)物理意義：指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如，汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2

門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -以MOS管為例，當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定的閾值時(shí)，MOS管會(huì)導(dǎo)通；

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。高邊驅(qū)動(dòng)：則用于將功率開關(guān)器件連接在電源正極一側(cè)。靜安區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路哪家好

心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。崇明區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

由于門極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測(cè)量中也沒有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]崇明區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路專賣店

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