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浙江實驗室鍵合機

來源: 發(fā)布時間:2025-04-11

EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng),屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。EVG所有鍵合機系統(tǒng)可以通過遠程進行通信。浙江實驗室鍵合機

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學(xué),無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)中國澳門進口鍵合機EVG服務(wù):高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

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臨時鍵合系統(tǒng):臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到充分體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 

GEMINI®FB特征:新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度多達六個預(yù)處理模塊,例如:清潔模塊LowTemp?等離子基活模塊對準驗證模塊解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實現(xiàn)ZUI高吞吐量可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、300毫米蕞高處理模塊數(shù):6+的SmartView®NT可選功能:解鍵合模塊熱壓鍵合模塊EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴展了現(xiàn)有標準,并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準和涂敷精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。 在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。

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BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強的邊緣對準技術(shù),與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比,BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。EVG鍵合機選擇上海岱美儀器。EVG805鍵合機推薦廠家

EVG鍵合機通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。浙江實驗室鍵合機

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍寶石刷子材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配) 浙江實驗室鍵合機