EVG?6200BA自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。重慶晶圓鍵合機

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。

3) 由破壞性試驗結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進 一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 免稅價格鍵合機國內(nèi)用戶EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達20.000sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar

腔室的打開/關(guān)閉：自動化

腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能：

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中，這是因為其成本效率高且易于應(yīng)用。在蕞佳環(huán)境中，每秒蕞多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。

      盡管球形鍵合的蕞佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。?dāng)銅用于球焊時，氮氣以氣態(tài)形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 晶圓級涂層、封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行

盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進的遠程診斷

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口

對準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°

結(jié)合力：蕞高5N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。絕緣體上硅鍵合機微流控應(yīng)用

根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。重慶晶圓鍵合機

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工，同時，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn)，因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVG GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。 重慶晶圓鍵合機