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湖南性能優(yōu)良英飛凌可控硅模塊***選擇可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。 普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。 關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率 當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下...
2021-12-14 -
陜西直銷(xiāo)英飛凌可控硅模塊***選擇
IT(AV)--通態(tài)平均電流 VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流 ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流 VTM--通態(tài)峰值電壓 IGT--門(mén)極觸發(fā)電流 VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓 IH--維持電流 dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率 di/dt--通態(tài)電流臨界上升率 Rthjc--結(jié)殼熱阻 ⅥSO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結(jié)溫 VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 IRRM--反向重復(fù)峰值電流 IF(AV)--正向平均電流 PGM--門(mén)極峰值功率 PG----門(mén)極平均功率 關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率 當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向...
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英飛凌可控硅模塊DT140N20KOF
可控硅開(kāi)關(guān) （四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 （五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。 （六）過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。 （七）非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見(jiàn)的是移相觸發(fā)，即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來(lái)改變輸出百分比。 萱鴻科技--追求優(yōu)良品質(zhì)，提供完美服務(wù)，創(chuàng)造超...
2021-12-10