光電子能譜(XPS)分析: 樣品受X射線照射時(shí),表面原子的內(nèi)殼層電子會(huì)脫離原子核的束縛而逸出固體表面形成電子,測(cè)量其動(dòng)能Ex,可得到原子的內(nèi)殼層電子的結(jié)合能Eb,Eb因不同元素和不同電子殼層而異,它是原子的“指紋”標(biāo)識(shí)參數(shù),形成的譜線即為光電子能譜(XPS)。XPS可以用來(lái)進(jìn)行樣品表面淺表面(幾個(gè)納米級(jí))元素的定性和定量分析。此外,還可根據(jù)結(jié)合能的化學(xué)位移獲得有關(guān)元素化學(xué)價(jià)態(tài)的信息。能給出表面層原子價(jià)態(tài)與周圍元素鍵合等信息;入射束為X射線光子束,因此可進(jìn)行絕緣樣品分析,不損傷被分析樣品快速多元素分析;還可以在氬離子剝離的情況下對(duì)多層進(jìn)行縱向的元素分布分析(可參見后面的案例),且靈敏度遠(yuǎn)比能譜(...
失效分析常用方法: 1、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無(wú)損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) 2、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國(guó)Fein 微焦點(diǎn)Xray用途:半導(dǎo)體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)分辨率<500納米 ; 幾何放大倍數(shù): 2000 倍 大放大倍數(shù): 10000倍 ; 輻射小: 每小時(shí)低于1 μSv ; 電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計(jì) 防碰撞設(shè)計(jì);BGA和SMT(QFP)自動(dòng)分析軟件,空隙計(jì)算軟件...
金屬材料的失效模式與失效機(jī)理的關(guān)系: 失效缺陷(failure defect) 失效缺陷是導(dǎo)致構(gòu)件損壞 (損傷)的實(shí)際缺陷。比如,裂紋、腐蝕坑、磨損帶、分層等。 失效機(jī)理(failure mechanism) 失效機(jī)理是致使構(gòu)件失效所發(fā)生的物理、化學(xué)的變化過(guò)程,即失效的微觀機(jī)制。例如,腐蝕模式下的電偶腐蝕、縫隙腐蝕、晶界腐蝕、點(diǎn)蝕,等等。 失效起因(failure cause ) 失效起因是促使失效機(jī)理起作用的關(guān)鍵因素。比如,超載、疲勞載荷、電極電位差、微動(dòng)摩擦等。失效分析找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。黃浦區(qū)失效分析一次多少錢變形失效: 彈性變形失效----彈性變形過(guò)量,雖表面未發(fā)...
失效模式分析對(duì)產(chǎn)品從設(shè)計(jì)完成之后,到樣品的發(fā)展而后生產(chǎn)制造,到品管驗(yàn)收等階段都可說(shuō)皆有許多適用范圍,基本上可以活用在3個(gè)階段,茲說(shuō)明如下: 設(shè)計(jì) 1.針對(duì)已設(shè)計(jì)的構(gòu)想作為基礎(chǔ),逐項(xiàng)檢討系統(tǒng)的構(gòu)造、機(jī)能上的問題點(diǎn)及預(yù)防策略。 2.對(duì)于零件的構(gòu)造、機(jī)能上的問題點(diǎn)及預(yù)防策略的檢討。 3.對(duì)于數(shù)個(gè)零件組或零件組之間可能存在的問題點(diǎn)作檢討。 試驗(yàn)計(jì)劃訂定階段 1.針對(duì)試驗(yàn)對(duì)象的選定及試驗(yàn)的目的、方法的檢討。 2.試驗(yàn)法有效的運(yùn)用及新評(píng)價(jià)方法的檢討。 3.試驗(yàn)之后的追蹤和有效性的持續(xù)運(yùn)用。 制程 1.制程設(shè)計(jì)階段中,被預(yù)測(cè)為不良制程及預(yù)防策略的檢討。 2.制程設(shè)計(jì)階段中,為了防止不良品發(fā)生,而必須加以管理...