針對不同磨床特性，優(yōu)普納提供基體優(yōu)化設(shè)計服務(wù)，通過調(diào)整砂輪結(jié)構(gòu)（如孔徑、厚度、溝槽）增強與設(shè)備的匹配度。例如，為適配DISCO-DFG8640高速減薄機，優(yōu)普納開發(fā)了增強型冷卻流道砂輪，使8吋SiC晶圓加工效率提升25%，磨耗比控制在30%以內(nèi)?？蛻艨筛鶕?jù)自身設(shè)備型號、晶圓尺寸（4吋/6吋/8吋）及工藝階段（粗磨/精磨）靈活選擇砂輪方案，實現(xiàn)“一機一策”的精確適配。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質(zhì)有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。在實際案例中，優(yōu)普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比200% Ra≤3nm TTV≤2μm。SiC晶圓磨削砂輪成本

隨著碳化硅功率器件在新能源汽車中的普及，優(yōu)普納砂輪已成功應用于多家頭部車企的芯片供應鏈。例如，某800V高壓平臺電驅(qū)模塊的SiC晶圓減薄中，優(yōu)普納30000#砂輪精磨后Ra≤3nm，TTV≤2μm，芯片導通損耗降低15%?？蛻舴答侊@示，國產(chǎn)砂輪在加工一致性與成本控制上遠超進口競品，單條產(chǎn)線年產(chǎn)能提升30%，為車規(guī)級芯片國產(chǎn)化奠定基礎(chǔ)。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質(zhì)有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。碳化硅減薄砂輪案例從材料選擇到工藝控制，優(yōu)普納科技嚴格把關(guān)每一個環(huán)節(jié)，確保碳化硅晶圓減薄砂輪的優(yōu)越品質(zhì)和穩(wěn)定性能。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結(jié)合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領(lǐng)域樹立了新的目標。這種獨特的結(jié)合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設(shè)計，實現(xiàn)了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優(yōu)普納的砂輪都能保持穩(wěn)定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質(zhì)量優(yōu)異。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質(zhì)有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，展現(xiàn)了強大的設(shè)備適配性。其基體優(yōu)化設(shè)計能夠根據(jù)客戶不同設(shè)備需求進行定制，無論是東京精密還是DISCO的減薄機，都能完美適配。這種強適配性不只減少了客戶在設(shè)備調(diào)整上的時間和成本，還確保了加工過程的高效性和穩(wěn)定性。在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優(yōu)普納砂輪都能保持穩(wěn)定的性能，滿足不同加工需求。這種綜合優(yōu)勢，使得優(yōu)普納的砂輪在市場上更具競爭力，能夠快速響應客戶需求，為客戶提供一站式的解決方案。在6吋SiC線割片的精磨加工中，優(yōu)普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現(xiàn)磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優(yōu)普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設(shè)備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩(wěn)定在2μm以下。DISCO設(shè)備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產(chǎn)品。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)砂輪，品質(zhì)有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產(chǎn)品以及方案。通過持續(xù)的技術(shù)研發(fā)和工藝改進 優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪在性能上不斷突破 為國產(chǎn)半導體加工設(shè)備及耗材力量。超精密砂輪特點

在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，優(yōu)普納砂輪對6吋SiC線割片進行粗磨，磨耗比11%，Ra≤30nm TTV≤3μm。SiC晶圓磨削砂輪成本

江蘇優(yōu)普納碳化硅減薄砂輪憑借超細金剛石磨粒與高自銳性設(shè)計，在第三代半導體晶圓加工中實現(xiàn)低損傷、低粗糙度的行業(yè)突破。以DISCO-DFG8640設(shè)備為例，精磨8吋SiC線割片時，砂輪磨耗比達200%，表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度≤2μm，完全滿足5G芯片、功率器件對晶圓平整度的嚴苛要求。對比進口砂輪，優(yōu)普納產(chǎn)品在相同加工條件下可減少磨削熱損傷30%，明顯提升晶圓良率，尤其適用于新能源汽車電驅(qū)模塊等高附加值領(lǐng)域。歡迎您的隨時致電咨詢。SiC晶圓磨削砂輪成本