前段整流電路直流輸出端并聯(lián)了大容量?jī)?chǔ)能電容，在上電前，電容器初始電壓為零，上電瞬間整流輸出端直流電壓直接加在儲(chǔ)能電容上，電容瞬間相當(dāng)于短路，形成的瞬時(shí)沖擊電流可能達(dá)到100A以上對(duì)電網(wǎng)帶來(lái)沖擊。為了限制上電瞬間大電流的沖擊，在整流輸出端放置一個(gè)固態(tài)開(kāi)關(guān)。固態(tài)開(kāi)關(guān)由晶閘管和限流電阻并聯(lián)，其中晶閘管的通斷受DSP的控制，在上電瞬間，晶閘管未被驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通，充電電流流過(guò)限流電阻，給予電容一定的充電時(shí)間，當(dāng)電容兩端電壓上升后開(kāi)通晶閘管，相當(dāng)于將限流電阻短路，由整流電路直接對(duì)儲(chǔ)能電容充電[29]。這樣就限制了上電瞬間充電電流的大小，避免了大電流對(duì)電網(wǎng)的沖擊。通過(guò)鑒相器檢測(cè)光波相位差來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)外電壓的測(cè)量。無(wú)錫化成分容電壓傳感器供應(yīng)商

若設(shè)定比較器周期值為T(mén)1PR，當(dāng)啟動(dòng)計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)時(shí)，計(jì)數(shù)寄存器T1CNT的值在每個(gè)周期由0增加至T1PR然后再減為0，如此循環(huán)。在每個(gè)周期中當(dāng)出現(xiàn)T1CNT=T1CMPR和T1CNT=T2CMPR時(shí)，則相應(yīng)的PWM波就會(huì)發(fā)生電平轉(zhuǎn)換。每一個(gè)周期中，當(dāng)T1CNT=0時(shí)會(huì)產(chǎn)生下溢中斷，當(dāng)T1CNT=T1PR時(shí)會(huì)產(chǎn)生周期中斷。由此，當(dāng)發(fā)生下溢中斷和周期中斷時(shí)我們分別進(jìn)入中斷重新設(shè)置比較寄存器T1CMPR和T2CMPR的值就可以改變PWM波發(fā)生電平轉(zhuǎn)換的時(shí)間，通過(guò)改變T1CMPR和T2CMPR之間的差值大小就可以改變兩對(duì)PWM波的相位差，如此便實(shí)現(xiàn)了移相。在試驗(yàn)中我們是固定比較寄存器T1CMPR的值，在每一次周期中斷和下溢中斷時(shí)改變T2CMPR的值來(lái)實(shí)現(xiàn)移相。無(wú)錫化成分容電壓傳感器供應(yīng)商電壓傳感器按照極性分可以分為直流電壓傳感器和交流電壓傳感器。

微分時(shí)間常數(shù)一般先取值為0，當(dāng)系統(tǒng)的控制效果不夠好的時(shí)候，可以跟設(shè)定比例積分常數(shù)和積分時(shí)間常數(shù)的方法一樣，***選定最大值的0.3倍左右。PID環(huán)節(jié)的參數(shù)設(shè)定完成后，將參數(shù)代入程序內(nèi)部，根據(jù)實(shí)際實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)進(jìn)行聯(lián)調(diào)。如圖4-10所示為PID子程序執(zhí)行流程的框圖，將系統(tǒng)設(shè)定的信號(hào)和采集到的信號(hào)作差得到偏差值，利用得到的偏差值根據(jù)上述比例、積分和微分三個(gè)環(huán)節(jié)的計(jì)算得到移相角，輸出給驅(qū)動(dòng)模塊控制開(kāi)關(guān)管。然后將本次計(jì)算得到的偏差值作為下一次PID計(jì)算的偏差值的初值，等待中斷然后循環(huán)進(jìn)行PID的計(jì)算，實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)輸出電壓。

移相全橋變換器在工作時(shí)，通過(guò)與開(kāi)關(guān)管并聯(lián)的諧振電容和原邊諧振電感諧振，來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的軟開(kāi)關(guān)。主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2-4所示。圖中T1和T2為超前臂開(kāi)關(guān)管，T3和T4為滯后臂開(kāi)關(guān)管；C1和C2分別為T(mén)1和T2的并聯(lián)諧振電容，且C1=C2=Clead；C3和C4分別為T(mén)3和T4的并聯(lián)諧振電容，且C3=C4=Clag；D1~D4分別為T(mén)1~T4的反并聯(lián)二極管；Lr為原邊諧振電感；TM為高頻變壓器；DR1~DR4為輸出整流二極管；Lf、L、Ca和Cb分別為輸出濾波電感和濾波電容；Z為輸出負(fù)載。并感應(yīng)出相應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，該電動(dòng)勢(shì)經(jīng)過(guò)電路調(diào)整后反饋給補(bǔ)償線圈進(jìn)行補(bǔ)償。

DSP控制模塊式整個(gè)系統(tǒng)的**大腦，程序的運(yùn)行和數(shù)據(jù)的計(jì)算都是在DSP內(nèi)部進(jìn)行的，同時(shí)DSP負(fù)責(zé)部分**芯片的管理，如AD的工作直接受DSP的控制。TMS320F2812作為眾多DSP芯片中的一種，是TI公司的一款用于控制和數(shù)字計(jì)算的可編程芯片，在其內(nèi)部集成了事件管理器、A/D轉(zhuǎn)換模塊、SCI通信接口、SPI外設(shè)接口、通信模塊、看門(mén)狗電路、通用數(shù)字I/O口等多種功能模塊，研究DSP本身就可以是一門(mén)**的學(xué)科。類似于單片機(jī)，DSP的工作功能是基于**小系統(tǒng)的擴(kuò)展，在使用DSP時(shí)并非一定用到上述所有模塊。在設(shè)計(jì)好DSP的**小系統(tǒng)（包括電源供電、晶振、復(fù)位電路、JTAG下載口電路等）后，根據(jù)各個(gè)模塊和引腳的具體功能分配片內(nèi)資源和連接**芯片。那種非導(dǎo)體材料被稱為介電材料。寧波化成分容電壓傳感器

LCCL濾波器相對(duì)于LCL濾波器具有穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。無(wú)錫化成分容電壓傳感器供應(yīng)商

強(qiáng)磁場(chǎng)是指磁場(chǎng)強(qiáng)度高于商用超導(dǎo)磁體所能達(dá)到比較高的磁場(chǎng)，將磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)20T的磁場(chǎng)定義為強(qiáng)磁場(chǎng)。按照現(xiàn)階段世界上強(qiáng)磁場(chǎng)系統(tǒng)的建設(shè)，強(qiáng)磁場(chǎng)系統(tǒng)一般由磁體、電源系統(tǒng)、低溫冷卻系統(tǒng)、測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)平臺(tái)構(gòu)成。其中磁體是直接產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)的裝置，電源為整個(gè)系統(tǒng)的工作提供相應(yīng)的能量，低溫冷卻系統(tǒng)為磁體的工作創(chuàng)造必要的工作環(huán)境，測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)是測(cè)量、監(jiān)測(cè)和采集必要的實(shí)驗(yàn)參數(shù)和信息，實(shí)驗(yàn)平臺(tái)即是為科學(xué)研究工作提供相關(guān)的接口和實(shí)驗(yàn)環(huán)境。無(wú)錫化成分容電壓傳感器供應(yīng)商