MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，需要注意正確連接其源極、柵極和漏極，以確保其正常工作。深圳MOS場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。柵極場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動(dòng)，具有與電阻不同的工作方式。

場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用場(chǎng)景：電路主電源開關(guān)，完全切斷，低功耗省電。大功率負(fù)載供電開關(guān)，如：電機(jī)，太陽能電池充電\放電，電動(dòng)車電池充電逆變器SPWM波升壓部分功率電路；功放，音響的功率線性放大電路；數(shù)字電路中用于電平信號(hào)轉(zhuǎn)換；開關(guān)電源中，高頻大功率狀態(tài)；用于LED燈的恒流驅(qū)動(dòng)電路；汽車、電力、通信、工業(yè)控制、家用電器等。MOS管G、S、D區(qū)分以及電流流向。MOS管G、S、D表示什么？G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極。MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。

場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性：場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管：1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。5：一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大。場(chǎng)效應(yīng)管在無線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用，如射頻放大器、混頻器、振蕩器等，提高通信質(zhì)量。

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí)，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達(dá)供電。當(dāng)頭一個(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲(chǔ)的電荷必須被移除，通過頭一個(gè)MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于低噪聲、高放大倍數(shù)和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中。深圳MOS場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

在選型場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，需要考慮其工作溫度范圍、最大耗散功率和靜態(tài)特性等參數(shù)。深圳MOS場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。四、跨導(dǎo)?？鐚?dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。深圳MOS場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格