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煙臺光刻膠感光膠

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-15

國家大基金三期:注冊資本3440億元,明確將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,計(jì)劃投入超500億元支持樹脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā),相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。

地方專項(xiàng)政策:湖北省對通過驗(yàn)證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購補(bǔ)貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程國產(chǎn)化技術(shù)獲中芯國際百萬級訂單;福建省提出2030年化工新材料自給率達(dá)90%,光刻膠是重點(diǎn)突破方向。

研發(fā)專項(xiàng):科技部“雙十計(jì)劃”設(shè)立20億元經(jīng)費(fèi),要求2025年KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率突破10%,并啟動EUV光刻膠預(yù)研。
松山湖光刻膠廠家吉田,23 年經(jīng)驗(yàn) + 全自動化產(chǎn)線,支持納米壓印光刻膠定制!煙臺光刻膠感光膠

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國際標(biāo)準(zhǔn)與客戶認(rèn)證
公司通過ISO9001、ISO14001等認(rèn)證,并嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場管理,生產(chǎn)環(huán)境潔凈度達(dá)Class 10級。其光刻膠產(chǎn)品已通過京東方、TCL華星的供應(yīng)商認(rèn)證,在顯示面板領(lǐng)域的市占率約5%,成為本土企業(yè)中少數(shù)能與日本JSR、德國默克競爭的廠商。

全流程可追溯體系
吉田半導(dǎo)體建立了從原材料入庫到成品出庫的全流程追溯系統(tǒng),關(guān)鍵批次數(shù)據(jù)(如樹脂分子量分布、光敏劑純度)實(shí)時(shí)上傳云端,確保產(chǎn)品一致性和可追溯性。這一體系使其在車規(guī)級芯片等對可靠性要求極高的領(lǐng)域獲得突破,2023年車用光刻膠銷售額同比增長120%。
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吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證,良率達(dá) 98% 以上,生產(chǎn)過程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求,為國產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。

  1. 全品類覆蓋
    吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求,技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商。
  2. 關(guān)鍵技術(shù)突破
    納米壓印技術(shù):JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃,支持納米級精度圖案復(fù)制,適用于第三代半導(dǎo)體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領(lǐng)域,技術(shù)指標(biāo)接近國際先進(jìn)水平。
    水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
    厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達(dá)數(shù)十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
光刻膠新興及擴(kuò)展應(yīng)用。

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 光伏電池(半導(dǎo)體級延伸)

? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。

? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。

 納米壓印技術(shù)(下一代光刻)

? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級分辨率,用于3D NAND存儲孔陣列(直徑≤20nm)、量子點(diǎn)顯示陣列等。

 微流控與生物醫(yī)療

? 微流控芯片:制造微米級流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。

? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn),精度≤5μm。
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正性光刻膠

  • 半導(dǎo)體分立器件制造:對于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件,正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時(shí),正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu),提高器件性能。
  • 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等,結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu),確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn)。


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標(biāo)簽: 錫片 光刻膠