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河北P(pán)CB光刻膠耗材

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-16

關(guān)鍵工藝流程

 涂布:

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無(wú)氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力(避免顯影時(shí)邊緣剝離)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲(chǔ)芯片)。

? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級(jí)缺陷)。

? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過(guò)曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

 顯影:

? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過(guò)加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),提高分辨率和耐蝕刻性。
聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù)。河北P(pán)CB光刻膠耗材

河北P(pán)CB光刻膠耗材,光刻膠

公司嚴(yán)格執(zhí)行 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系與 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)工藝革新與設(shè)備升級(jí)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程的低污染、低能耗。注塑廢氣、噴涂廢氣經(jīng)多級(jí)凈化處理后達(dá)標(biāo)排放,生活污水經(jīng)預(yù)處理后納入市政管網(wǎng),冷卻水循環(huán)利用率達(dá) 100%。危險(xiǎn)廢物(如廢機(jī)油、含油抹布)均委托專(zhuān)業(yè)機(jī)構(gòu)安全處置,一般工業(yè)固廢(如邊角料、廢包裝材料)則通過(guò)回收或再生利用實(shí)現(xiàn)資源循環(huán)。

公司持續(xù)研發(fā)環(huán)保型材料,例如開(kāi)發(fā)水性感光膠替代傳統(tǒng)油性產(chǎn)品,降低有機(jī)溶劑使用量;優(yōu)化錫膏助焊劑配方,減少焊接過(guò)程中的煙霧與異味。此外,其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù),在提升焊接效率的同時(shí)降低能源消耗。通過(guò)與科研機(jī)構(gòu)合作,公司還在探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用,為行業(yè)低碳發(fā)展提供新路徑。
四川正性光刻膠報(bào)價(jià)松山湖光刻膠廠家吉田,2000 萬(wàn)級(jí)產(chǎn)能,48 小時(shí)極速交付!

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定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會(huì)溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負(fù)性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢(shì)是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導(dǎo)體制造(尤其是制程)的主流選擇。

化學(xué)組成與工作原理

 主要成分

? 樹(shù)脂(成膜劑):

? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹(shù)脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復(fù)合體系(PAC體系),占比約80%-90%。

? 化學(xué)增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹(shù)脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過(guò)酸催化反應(yīng)提高感光度和分辨率。

? 溶劑:溶解樹(shù)脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。

? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應(yīng))、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。

 工作原理

? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹(shù)脂結(jié)合,形成不溶于堿性顯影液的復(fù)合物。

? 曝光時(shí):

? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹(shù)脂在堿性顯影液中溶解性增強(qiáng)。

? 化學(xué)增幅型:PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,催化樹(shù)脂發(fā)生脫保護(hù)反應(yīng),大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。

? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。

 企業(yè)定位與資質(zhì)

? 成立背景:深耕半導(dǎo)體材料行業(yè)23年,位于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),注冊(cè)資本2000萬(wàn)元,是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、廣東省專(zhuān)精特新企業(yè)及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。

? 質(zhì)量體系:通過(guò)ISO9001:2008認(rèn)證,嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場(chǎng)管理,原材料源自美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó),確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。

? 市場(chǎng)布局:產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)全球,與世界500強(qiáng)企業(yè)及多家電子加工企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系,覆蓋集成電路、顯示面板、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。


自研自產(chǎn)的光刻膠廠家。

 企業(yè)優(yōu)勢(shì)

? 研發(fā)能力:擁有多項(xiàng)專(zhuān)利證書(shū),自主研發(fā)芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產(chǎn)品,配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備,具備從材料合成到成品制造的全流程能力。

? 產(chǎn)能與品控:采用進(jìn)口原材料和嚴(yán)格制程管控,確保金屬雜質(zhì)含量低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如半導(dǎo)體光刻膠金屬雜質(zhì)<5ppb),良率達(dá)99%以上。

河北P(pán)CB光刻膠耗材,光刻膠

聚焦先進(jìn)封裝需求,吉田半導(dǎo)體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù),助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領(lǐng)域,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù)(180℃),焊接空洞率 < 5%;針筒錫膏適用于 01005 超微型元件,印刷精度達(dá) ±5μm。通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)室與快速響應(yīng)團(tuán)隊(duì),公司為客戶提供工藝優(yōu)化建議,幫助降低生產(chǎn)成本,增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。光刻膠是有什么東西?吉林油墨光刻膠供應(yīng)商

PCB光刻膠國(guó)產(chǎn)化率超50%。河北P(pán)CB光刻膠耗材

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類(lèi)別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。

UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號(hào),耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長(zhǎng)期可靠性高,粘接強(qiáng)度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點(diǎn),重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢(shì),應(yīng)用場(chǎng)景。


河北P(pán)CB光刻膠耗材

標(biāo)簽: 光刻膠 錫片