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動(dòng)鐵芯12會(huì)帶活動(dòng)連接塊17同時(shí)向上動(dòng)作，活動(dòng)連接塊17讓***堵氣塊25和***堵氣限位塊26緊密相貼，同時(shí)也讓第二堵氣塊27和第二堵氣限位塊28分開(kāi)，此時(shí)***流通閥21閉合，第二流通閥22導(dǎo)通，且通過(guò)第二密封塊24的動(dòng)作，不讓氣體混雜，當(dāng)該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥內(nèi)部電路出現(xiàn)故障時(shí)，可以握住拉動(dòng)扣環(huán)14，根據(jù)自己的需來(lái)拉動(dòng)拉動(dòng)扣環(huán)14即可調(diào)節(jié)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背道而馳本實(shí)用新型的精神上或基本特性的狀況下，能夠以其他的實(shí)際形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將施行例視作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所...

開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用**常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí)繼電器就吸合或獲釋其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān)它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合只適宜處理大幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳機(jī)能和工作原理1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066CD4066的引腳功用如圖1所示每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)單獨(dú)的模擬開(kāi)關(guān)每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、支配三個(gè)端子其中輸入端和輸出端可對(duì)調(diào)當(dāng)控制端加高電平時(shí)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通;當(dāng)控制端加低電平時(shí)開(kāi)關(guān)截止模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通電阻為幾十歐姆;模擬開(kāi)關(guān)截止時(shí)展現(xiàn)很高的阻抗可以...

并將該參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1的襯底。因此在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1中寄生二極管正向?qū)ㄔ斐傻男盘?hào)泄露的問(wèn)題。作為一種非限制性的例子，掉電保護(hù)電路302包括晶體管m1至m3，晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接，晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接，晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc，晶體管m1至m3的源極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接。在本實(shí)施例中，晶體管m1至m3采用完全相同的晶體管，例如晶體管m1至m3分別采用nmos管。并且晶...

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexe...

Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性：Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號(hào)輸入到信號(hào)輸出傳遞延遲時(shí)間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH...

B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=?50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=?VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信號(hào)輸入電容pFCOSSignalOutputCapacitance信號(hào)輸出電容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance饋電容VC=0VpFCINControlInputCapacitance...

晶體管m1至m3以及晶體管m8的源極與開(kāi)關(guān)管mp1和mp2的襯底以及晶體管m6和晶體管m9的源極連接。此外，掉電保護(hù)電路402還包括電壓上拉模塊421，電壓上拉模塊421用于在電源電壓正常工作時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓，使得模擬開(kāi)關(guān)電路400可以正常工作。其中，本實(shí)施例的電壓上拉模塊421的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中的電壓上拉模塊321的結(jié)構(gòu)和功能完全相同，在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的模擬開(kāi)關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的襯底，...

球活門(mén)球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通，形成一個(gè)通道?？蛇x地，錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通，實(shí)際包括：錐活門(mén)穿越球活門(mén)的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子與球活門(mén)連通?？蛇x地，圓盤(pán)上設(shè)立限位孔，限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)?？蛇x地，還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔，盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球，彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部，彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)?？蛇x地，所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效：本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，具構(gòu)造連貫、重量輕、集成度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，更具體地涉及一種模擬開(kāi)關(guān)電路。背景技術(shù)：現(xiàn)今，各種模擬電路都需要用到模擬傳輸開(kāi)關(guān)，以用作對(duì)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行傳輸和選擇，例如各種音視頻電路都需要模擬傳輸開(kāi)關(guān)進(jìn)行音視頻信號(hào)的選擇導(dǎo)通，模擬控制電路需要模擬傳輸開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制信號(hào)的選擇控制。隨著技術(shù)的發(fā)展，各種高清的視頻、音頻信號(hào)的傳輸對(duì)模擬傳輸開(kāi)關(guān)的性能提出了越來(lái)越高的要求。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路為了傳輸接近電源(vcc)的電壓，通常會(huì)采用pmos管和nmos管并聯(lián)的傳輸門(mén)作為模擬傳輸開(kāi)關(guān)。pmos管的襯底接電源電壓，nmos管的襯底接地。在pmos管的柵極接電源電壓，nmos管的柵極接地時(shí)，傳輸門(mén)關(guān)斷；在pmo...