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MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以?xún)?nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以了解為增加了CD，也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間安定，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，...

模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的效用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特色，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中獲得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)操縱極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎτ貌糠钟幸粋€(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門(mén)極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>10^9Ω下圖展示了在一些自動(dòng)檢查水位的實(shí)際上應(yīng)用，當(dāng)器皿里的水漸漸升高時(shí)，操縱極端子依次被浸沒(méi)，則LED依次被導(dǎo)通展開(kāi)顯示水位，水滿(mǎn)后自動(dòng)斷開(kāi)水源，因...

導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R2為10...

容上的電壓可長(zhǎng)時(shí)間基本維持不變模擬開(kāi)關(guān)S1為電容提供充電回路當(dāng)S1導(dǎo)通時(shí)電源通過(guò)S1給電容充電電容上電壓不停增高使VT1導(dǎo)通電阻更為小使響度也愈來(lái)愈小模擬開(kāi)關(guān)S2為電容提供放電回路當(dāng)S2導(dǎo)通時(shí)電容通過(guò)S2放電電容上電壓不停下滑使響度越發(fā)大模擬開(kāi)關(guān)S3起開(kāi)機(jī)響度復(fù)位功用開(kāi)機(jī)時(shí)電源在S3控制端產(chǎn)生一短暫的正脈沖使S3導(dǎo)通由于與S3聯(lián)接的電阻較小故使電容迅速充到一定的電壓使起始響度處于較小的狀態(tài)F1～F6及其**元件構(gòu)成高低脈沖識(shí)別電路靜態(tài)時(shí)F1、F2輸入為高電平當(dāng)較長(zhǎng)時(shí)間按壓按鈕開(kāi)關(guān)AN時(shí)F4輸出變高經(jīng)100k電阻給μF電容充電當(dāng)充電電壓超過(guò)CMOS門(mén)轉(zhuǎn)換電壓時(shí)F5輸出由高變低F6輸出由低變高模擬...

晶體管m1至m3以及晶體管m8的源極與開(kāi)關(guān)管mp1和mp2的襯底以及晶體管m6和晶體管m9的源極連接。此外，掉電保護(hù)電路402還包括電壓上拉模塊421，電壓上拉模塊421用于在電源電壓正常工作時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓，使得模擬開(kāi)關(guān)電路400可以正常工作。其中，本實(shí)施例的電壓上拉模塊421的結(jié)構(gòu)和功能與圖3中的電壓上拉模塊321的結(jié)構(gòu)和功能完全相同，在此不再贅述。綜上所述，本發(fā)明的模擬開(kāi)關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的襯底，控制p型...

響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類(lèi)型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特性，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中取得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，機(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門(mén)極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>...

在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí)，要注意到，流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在變動(dòng)時(shí)，會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí)，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器用到特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC，在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)敞開(kāi)時(shí)，在漏極的輸...

用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底，其中，所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管，所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接，所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述...

保證模擬開(kāi)關(guān)電路可正常工作。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，在本文中，諸如***和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)**用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不*包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。依照本發(fā)明的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)...

這些開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度快，開(kāi)通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號(hào)完整性上佳。內(nèi)部過(guò)熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開(kāi)關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級(jí)。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無(wú)損檢測(cè)(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置，其中后者正在提高...

本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域，關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù)：繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng)，在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象，從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注，這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染，影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性，再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素：本發(fā)明的目的：提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。本發(fā)明的技術(shù)方案：***方面，提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，包括：殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和...

CD4066中文資料：CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān)，主要當(dāng)做模擬或數(shù)字信號(hào)的多路傳輸。引出端排列與CC4016一致，但具比起低的導(dǎo)通阻抗。另外，導(dǎo)通阻抗在整個(gè)輸入信號(hào)范圍內(nèi)基本不變。CD4066由四個(gè)互相**自主的雙向開(kāi)關(guān)構(gòu)成，每個(gè)開(kāi)關(guān)有一個(gè)控制信號(hào)，開(kāi)關(guān)中的p和n器件在支配信號(hào)效用下同時(shí)開(kāi)關(guān)。這種構(gòu)造掃除了開(kāi)關(guān)晶體管閾值電壓隨輸入信號(hào)的變化，因此在整個(gè)工作信號(hào)范圍內(nèi)導(dǎo)通阻抗比起低。與單通道開(kāi)關(guān)相比之下，具備輸入信號(hào)峰值電壓范圍等于電源電壓以及在輸入信號(hào)范圍內(nèi)導(dǎo)通阻抗比起平穩(wěn)等優(yōu)點(diǎn)。但若應(yīng)用于采保電路，仍舉薦CD4016。當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓使用雙電源時(shí)，例如=﹢5V，=﹣5V（均對(duì)地0V而言...

輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。以模擬開(kāi)關(guān)101為例，開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)?，形成信?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值，開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通，形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路，造成信號(hào)的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示，...

掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓vgs小...

電源端的電壓等于0v)信號(hào)輸出端y的電位大于信號(hào)輸入端a的電位為例，假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為，晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽?，晶體管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽?，此時(shí)參考電壓vmax為：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn＝可以得到此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為，小于寄生二極管的正向?qū)妷?，因此開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321，電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接，用于在電源電壓正常時(shí)將參考電壓v...

用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底，其中，所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管，所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接，所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述...

對(duì)本發(fā)明推行例中的技術(shù)方案開(kāi)展明了、完整地描述，顯然，所敘述的實(shí)施例**是本發(fā)明一部分實(shí)行例，而不是全部推行例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域平常技術(shù)人員在從未做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所取得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明維護(hù)的范圍。該設(shè)備內(nèi)部有一個(gè)球活門(mén)和錐活門(mén)，其中球活門(mén)球面上有一徑向孔和軸向孔相通，形成一個(gè)通道；操縱桿與錐形活門(mén)以及錐形活門(mén)與球形活門(mén)之間通分別過(guò)銷(xiāo)子連接，當(dāng)按壓操縱桿，錐形活門(mén)向下運(yùn)動(dòng)，液體介質(zhì)進(jìn)口被敞開(kāi)；當(dāng)旋轉(zhuǎn)操縱桿，操縱桿帶動(dòng)錐形活門(mén)和球形活門(mén)轉(zhuǎn)動(dòng)，球活門(mén)球面上的徑向孔轉(zhuǎn)動(dòng)到哪個(gè)液體介質(zhì)出口，液體介質(zhì)出口就和這個(gè)進(jìn)口相通。本發(fā)明關(guān)乎的一種四路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。當(dāng)根據(jù)具...

焊接10秒）300℃RecommendedOperatingConditions提議操作條件：SupplyVoltage電源電壓(VDD)3Vto15VInputVoltage輸入電壓(VIN)0VtoVDDOperatingTemperatureRange工作溫度范圍(TA)?55℃to+125℃DCElectricalCharacteristics直流電氣特性：Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件?55℃+25℃+125℃Units單位**小**大**小典型**大**小**大IDDQuiescentDeviceCurrent靜態(tài)電流VDD=5VμAVDD=...

容許音頻放大器和開(kāi)關(guān)先加電，而主通道開(kāi)關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間（參見(jiàn)10ms）后，耦合電容器的兩端均充電至等電位，然后開(kāi)啟主通道，根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開(kāi)關(guān)十分適于通過(guò)單個(gè)USB連接器（D+/D針）與聽(tīng)筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真（THD）對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外，由于開(kāi)關(guān)置于在交流耦合電容器之后，因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開(kāi)關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過(guò)裝置“有線”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)...

模擬開(kāi)關(guān)101包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接電源電壓vcc，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。開(kāi)關(guān)管mp1的柵極接收控制信號(hào)cp1，開(kāi)關(guān)管mn1的柵極接收控制信號(hào)cn1，控制信號(hào)cp1和控制信號(hào)cn1為相位相反的控制信號(hào)。當(dāng)控制信號(hào)cp1為高電平，控制信號(hào)cn1為低電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)101斷開(kāi)；當(dāng)控制信號(hào)cp1為低電平，控制信號(hào)cn1為高電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)101導(dǎo)通，輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端a傳輸至信號(hào)輸入端y...

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexe...

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特征漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有也許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ變動(dòng)至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見(jiàn)到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11...

BL1532替代BL1532是一款低功耗，雙端口，高速（480Mbps），雙–單刀雙擲（擲）模擬開(kāi)關(guān)具一個(gè)。BL1532與，需通過(guò)第三次諧波，引致信號(hào)的很小外緣和相位失真。優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源（VCC=0），它容許裝置承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗，甚至當(dāng)操縱電壓的SEL引腳是低比電源電壓（VCC）。特點(diǎn)：寬電源電壓范圍：，低電容，Ω阻力低（典型值）在3V電壓VSW=，高帶寬（-3dB）：>>從未C和C=5pF550MHz720...

響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類(lèi)型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的效用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特征，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中獲得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，機(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門(mén)極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻R...

晶體管m5的柵極電壓被電阻r1下拉至地，晶體管m5導(dǎo)通，將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc，使得模擬開(kāi)關(guān)電路300可以正常工作。此外，本實(shí)施例的模擬開(kāi)關(guān)電路300還包括驅(qū)動(dòng)電路303，驅(qū)動(dòng)電路303與模擬開(kāi)關(guān)301相連接，用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路303例如通過(guò)緩沖器實(shí)現(xiàn)。緩沖器可隔離前端控制電路與開(kāi)關(guān)管mp1的柵極之間的較大的寄生電容，且可使得開(kāi)關(guān)管mp1具有較快的擺率驅(qū)動(dòng)，可以提高開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述緩沖器可以為源跟隨器、cmos緩沖器或者其他合適的緩沖器。進(jìn)一步的，驅(qū)動(dòng)電路303包括晶體管m6和m7，晶體管...

這些開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度快，開(kāi)通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號(hào)完整性上佳。內(nèi)部過(guò)熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開(kāi)關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級(jí)。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無(wú)損檢測(cè)(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置，其中...

這些開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度快，開(kāi)通時(shí)間μs;低靜態(tài)電流節(jié)約關(guān)閉狀況功耗。低導(dǎo)通電阻和低失真以及低串?dāng)_保證信號(hào)完整性上佳。內(nèi)部過(guò)熱關(guān)斷和欠壓鎖保護(hù)(UVLO)機(jī)能保證開(kāi)關(guān)安全工作。這款先進(jìn)產(chǎn)品使用意法半導(dǎo)體專(zhuān)有的BCD6s-SOI(絕緣體上硅)和BCD8sSOI制造工藝，在同一芯片上集成精細(xì)模擬電路(雙極晶體管)、低壓CMOS邏輯電路和穩(wěn)健精確的DMOS功率級(jí)。STHV64SW可以采用高達(dá)-100V/+100V、0V/200V或-200V/0V的各種高壓電源組合。目前已有創(chuàng)新的高科技裝置使用STHV64SW，例如，工業(yè)無(wú)損檢測(cè)(NDT)超聲波探傷儀和經(jīng)濟(jì)便攜的醫(yī)學(xué)超聲回波影像診斷裝置，其中...

電源端的電壓等于0v)信號(hào)輸出端y的電位大于信號(hào)輸入端a的電位為例，假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為，晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽?，晶體管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽椋藭r(shí)參考電壓vmax為：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn＝可以得到此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為，小于寄生二極管的正向?qū)妷?，因此開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321，電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接，用于在電源電壓正常時(shí)將參...

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見(jiàn)到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11...

晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可...