響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān):TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān),雙向模擬開(kāi)關(guān),四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類型:家電描述:TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān),模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特性,因而,在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中取得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成,為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?,機(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián),門(mén)極信號(hào)分為兩路,一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS,另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS,確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>...
例如部件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù),以便更清楚地理解本發(fā)明。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣,可以不按照這些特定的細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解,在以下的描述中,“電路”可包括單個(gè)或多個(gè)組合的硬件電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路和/或能存儲(chǔ)由可編程電路執(zhí)行的指令的元件。當(dāng)稱元件或電路“連接到”另一元件或稱元件/電路“連接在”兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間時(shí),它可以直接耦合或連接到另一元件或者可以存在中間元件,元件之間的連接可以是物理上的、邏輯上的、或者其結(jié)合。相反,當(dāng)稱元件“直接耦合到”或“直接連接到”另一元件時(shí),意味著兩者不存在中間元件。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖3所示,...
晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax,此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為:vgs=vmax-vy=由上式可以看出,掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在,小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為),因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具...
以有效性避免480MbpsUSB信號(hào)迅速升高/下滑沿引起的信號(hào)反射。由于單個(gè)USB端口用以充電器和數(shù)據(jù)功用,因此充電器檢測(cè)機(jī)能在當(dāng)前設(shè)計(jì)中已變得十分風(fēng)靡。傳統(tǒng)方式是將D+/D-線饋入內(nèi)部A/D轉(zhuǎn)換器,以確定D+/D-線是不是短路。如前所述,該方案的主要局限性在于基帶處理器的GPIO端口的高輸入電容會(huì)在數(shù)據(jù)線上增加額外的電容電抗。這種新的容抗將造成在高數(shù)據(jù)速率下有效性觸發(fā)信號(hào)。不好影響,屬于USB一致性測(cè)試(例如,對(duì)于USB信號(hào)為480Mbps)。當(dāng)然,該方式的另一個(gè)弱點(diǎn)是它也占用了系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換器的資源。在這些應(yīng)用中,需兼具**內(nèi)部電容檢測(cè)電路的USB開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)充電器隔離和全速USB控制器輸出...
模擬開(kāi)關(guān)404包括開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2,開(kāi)關(guān)管mp2為pmos管,開(kāi)關(guān)管mn2為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端b,二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y,開(kāi)關(guān)管mp2的襯底與掉電保護(hù)電路402相連接,開(kāi)關(guān)管mn2的襯底接地。驅(qū)動(dòng)電路403包括晶體管m6和m7,晶體管m6選自pmos管,晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路402,晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接,晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp1,晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開(kāi)關(guān)管mp1的柵極。...
保證模擬開(kāi)關(guān)電路可正常工作。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,在本文中,諸如***和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)**用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái),而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不*包括那些要素,而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下,由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。依照本發(fā)明的實(shí)施例如上文所述,這些實(shí)...
MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以了解為增加了CD,也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長(zhǎng)時(shí)間安定,所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,...
晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax,此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為:vgs=vmax-vy=由上式可以看出,掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在,小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為),因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具...
PLC的開(kāi)關(guān)量輸入卡出現(xiàn)故障:外部開(kāi)關(guān)量輸入信號(hào)到PLC,PLC并未反應(yīng),在顯示器也并未顯示出來(lái),將該輸入端接線拆下,人為輸入一個(gè)高電平或者低電平,開(kāi)關(guān)量輸入信號(hào)還是不能正常顯示,或者用萬(wàn)用表測(cè)量輸入端,要是外面來(lái)的開(kāi)關(guān)量輸入信號(hào)沒(méi)問(wèn)題,那么就或許是該開(kāi)關(guān)量輸入卡有問(wèn)題。數(shù)字量輸出卡出現(xiàn)故障:PLC開(kāi)關(guān)量輸出信號(hào)從未輸出,在顯示屏上按下按鈕觸發(fā)該開(kāi)關(guān)量的時(shí)候,該開(kāi)關(guān)量還是從未輸出信號(hào)輸出,那么有或許就是該數(shù)字量輸出卡有問(wèn)題。PLC程序遺失:所有的信號(hào)都不能正常輸入或正常輸出。接線端子接觸不好:裝置使用時(shí)間久后,接線頭或者電子器件接線柱可能會(huì)松動(dòng)不緊,或者是裝置本身配線毛病或壽命疑問(wèn),都或許致使...
開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用**常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí)繼電器就吸合或獲釋其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān)它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合只適宜處理大幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳機(jī)能和工作原理1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066CD4066的引腳功用如圖1所示每個(gè)封裝內(nèi)部有4個(gè)單獨(dú)的模擬開(kāi)關(guān)每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、支配三個(gè)端子其中輸入端和輸出端可對(duì)調(diào)當(dāng)控制端加高電平時(shí)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通;當(dāng)控制端加低電平時(shí)開(kāi)關(guān)截止模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通電阻為幾十歐姆;模擬開(kāi)關(guān)截止時(shí)展現(xiàn)很高的阻抗可以看成為開(kāi)...
防落罩29的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊9,l型限位塊9與***流通閥21和第二流通閥22均固定連接,開(kāi)關(guān)電磁閥閥體1內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯10,靜鐵芯10的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置于槽15,連結(jié)柱安放槽15的設(shè)計(jì)便于伸縮連接柱13的放置,聯(lián)接柱安放槽15的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱13,伸縮連接柱13的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán)14,拉動(dòng)扣環(huán)14的設(shè)計(jì)便于工作人員的拉動(dòng),伸縮連接柱13的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯12,且動(dòng)鐵芯12與伸縮連接柱13固定連接,動(dòng)鐵芯12的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊17,活動(dòng)連接塊17的兩邊均設(shè)立有彈簧18,彈簧18的外部設(shè)置有線圈16,活動(dòng)連接塊17的下端設(shè)立有伸縮管19,伸縮管19的內(nèi)部設(shè)置有固定柱...
掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax,并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?,開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端,使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓vgs小...
動(dòng)鐵芯12會(huì)帶活動(dòng)連接塊17同時(shí)向上動(dòng)作,活動(dòng)連接塊17讓***堵氣塊25和***堵氣限位塊26緊密相貼,同時(shí)也讓第二堵氣塊27和第二堵氣限位塊28分開(kāi),此時(shí)***流通閥21閉合,第二流通閥22導(dǎo)通,且通過(guò)第二密封塊24的動(dòng)作,不讓氣體混雜,當(dāng)該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥內(nèi)部電路出現(xiàn)故障時(shí),可以握住拉動(dòng)扣環(huán)14,根據(jù)自己的需來(lái)拉動(dòng)拉動(dòng)扣環(huán)14即可調(diào)節(jié)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背道而馳本實(shí)用新型的精神上或基本特性的狀況下,能夠以其他的實(shí)際形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,均應(yīng)將施行例視作是示范性的,而且是非限制性的,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要...
本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域,關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù):繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng),在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象,從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注,這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染,影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性,再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素:本發(fā)明的目的:提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。本發(fā)明的技術(shù)方案:***方面,提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),包括:殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和...
本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域,關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù):繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng),在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象,從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注,這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染,影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性,再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素:本發(fā)明的目的:提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ谩1景l(fā)明的技術(shù)方案:***方面,提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),包括:殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和...
2).特征圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容致使的。有時(shí),也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容,展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容,或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候,從S1到OUTPUT的阻抗是RON,因?yàn)镾2是斷開(kāi)的,從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加,寄生電容CSD的阻抗變得更低,并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則,寄生電容CSS隨頻率的...
用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓,并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底,其中,所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管,所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接,所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地,所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊,用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地,所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接,以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地,所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述...
B)=Ω,VIS(A)=(B)/VIS(A)=?50dB(Figure5)MHzVDD=10V,RL=10kΩ,RIN=Ω,VCC=10VSquareWave,CL=50pF(Figure6)150mVp-pRL=Ω,CL=50pF,(Figure7)VOS(f)=?VOS()VDD=MHzVDD=10VVDD=15VCISSignalInputCapacitance信號(hào)輸入電容pFCOSSignalOutputCapacitance信號(hào)輸出電容VDD=10VpFCIOSFeedthroughCapacitance饋電容VC=0VpFCINControlInputCapacitance操縱輸入...
輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。以模擬開(kāi)關(guān)101為例,開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管,如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí),開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)?,形成信?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值,此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值,開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通,形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路,造成信號(hào)的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示,...
防落罩29的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊9,l型限位塊9與***流通閥21和第二流通閥22均固定連接,開(kāi)關(guān)電磁閥閥體1內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯10,靜鐵芯10的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置于槽15,連結(jié)柱安放槽15的設(shè)計(jì)便于伸縮連接柱13的放置,聯(lián)接柱安放槽15的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱13,伸縮連接柱13的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán)14,拉動(dòng)扣環(huán)14的設(shè)計(jì)便于工作人員的拉動(dòng),伸縮連接柱13的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯12,且動(dòng)鐵芯12與伸縮連接柱13固定連接,動(dòng)鐵芯12的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊17,活動(dòng)連接塊17的兩邊均設(shè)立有彈簧18,彈簧18的外部設(shè)置有線圈16,活動(dòng)連接塊17的下端設(shè)立有伸縮管19,伸縮管19的內(nèi)部設(shè)置有固定柱...
在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用,例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單,但是依然有很多細(xì)節(jié),需大家在用到的過(guò)程中留意。所以,在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開(kāi)始介紹基石的參數(shù)之前,我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種,如圖1所示。1)NFET。2)NFET和PFET。3)含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色,詳實(shí)的介紹,可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培...
本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域,關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù):繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng),在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象,從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注,這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染,影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性,再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素:本發(fā)明的目的:提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。本發(fā)明的技術(shù)方案:***方面,提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),包括:殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門(mén)組件、操縱桿和...
MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以了解為增加了CD,也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長(zhǎng)時(shí)間安定,所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,...
控制p型開(kāi)關(guān)管的襯底電位,使得電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開(kāi)關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端,控制p型開(kāi)關(guān)管的柵極電位,保證電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通,有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問(wèn)題,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用,工作性能穩(wěn)定可靠,適用范圍***。進(jìn)一步的,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊,電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓,保證模擬開(kāi)關(guān)電路可正常工作。附圖說(shuō)明通過(guò)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述,本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。圖1示出傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖;圖2...
MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以明白為增加了CD,也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長(zhǎng)時(shí)間平穩(wěn),所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,...
Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性:Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號(hào)輸入到信號(hào)輸出傳遞延遲時(shí)間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZ...
并將該參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1的襯底。因此在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?,開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài),有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1中寄生二極管正向?qū)ㄔ斐傻男盘?hào)泄露的問(wèn)題。作為一種非限制性的例子,掉電保護(hù)電路302包括晶體管m1至m3,晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接,晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接,晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc,晶體管m1至m3的源極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接。在本實(shí)施例中,晶體管m1至m3采用完全相同的晶體管,例如晶體管m1至m3分別采用nmos管。并且晶體管m1...
2).特性圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容造成的。有時(shí),也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容,展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容,或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候,從S1到OUTPUT的阻抗是RON,因?yàn)镾2是斷開(kāi)的,從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加,寄生電容CSD的阻抗變得更低,并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則,寄生電容CSS隨頻率的...
在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí),要注意到,流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此,當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在轉(zhuǎn)變時(shí),會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí),除了要留意chargeinjection的值以外,也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器采用特別的電荷流入掃除電路,可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC,在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí),在漏極的輸...
所述第四晶體管的源極用于接收所述參考電壓,漏極與所述第五晶體管的漏極連接,所述第五晶體管的源極接地,所述第四晶體管和所述第五晶體管的柵極接收***控制信號(hào),所述第四晶體管和所述第五晶體管的中間節(jié)點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的所述p型開(kāi)關(guān)管的柵極連接。推薦地,每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)還包括連接于所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間的n型開(kāi)關(guān)管,所述n型開(kāi)關(guān)管和所述p型開(kāi)關(guān)管并聯(lián)連接,所述n型開(kāi)關(guān)管的柵極接收第二控制信號(hào),所述n型開(kāi)關(guān)管的襯底接地,其中,所述***控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)為同相信號(hào)。推薦地,所述多個(gè)***晶體管分別選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地,所述第二晶體管和所述第三晶體管分別選自...