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掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷海_(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓...

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexe...

導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R...

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexe...

導(dǎo)通電阻越發(fā)大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻愈加小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度變動(dòng)的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差叫作導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設(shè)立R1和R...

響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和用到壽命長(zhǎng)等特色，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中獲取了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)操縱極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，機(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻R...

2).特性圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容造成的。有時(shí)，也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容，展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容，或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候，從S1到OUTPUT的阻抗是RON，因?yàn)镾2是斷開(kāi)的，從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加，寄生電容CSD的阻抗變得更低，并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則，寄生電容CSS...

所述防落罩的兩側(cè)均設(shè)立有l(wèi)型限位塊，所述l型限位塊與***流通閥和第二流通閥均固定連接，所述開(kāi)關(guān)電磁閥閥體內(nèi)部的上方設(shè)立有靜鐵芯，所述靜鐵芯的兩側(cè)均設(shè)立有連接柱置放槽，所述連接柱放到槽的內(nèi)部設(shè)置有伸縮連接柱，所述伸縮連接柱的頂端設(shè)立有拉動(dòng)扣環(huán)，所述伸縮連接柱的下方設(shè)立有動(dòng)鐵芯，且動(dòng)鐵芯與伸縮連接柱固定連接，所述動(dòng)鐵芯的下端設(shè)立有活動(dòng)連接塊，所述活動(dòng)連接塊的兩端均設(shè)立有彈簧，所述彈簧的外部設(shè)置有線圈，所述活動(dòng)連接塊的下端設(shè)立有伸縮管，所述伸縮管的內(nèi)部設(shè)置有固定柱，且固定柱與活動(dòng)連接塊固定聯(lián)接，所述固定柱的外部設(shè)置有***堵氣塊，所述***堵氣塊的下方設(shè)立有***密封塊，所述***堵氣塊上...

音量控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：TC4066東芝模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類別：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子設(shè)備中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)中得到了廣泛應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)控制極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端構(gòu)成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，功能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門極信號(hào)分成兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，保證雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻...

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特征，詳實(shí)的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexe...

例如部件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù)，以便更清楚地理解本發(fā)明。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣，可以不按照這些特定的細(xì)節(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，在以下的描述中，“電路”可包括單個(gè)或多個(gè)組合的硬件電路、可編程電路、狀態(tài)機(jī)電路和/或能存儲(chǔ)由可編程電路執(zhí)行的指令的元件。當(dāng)稱元件或電路“連接到”另一元件或稱元件/電路“連接在”兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間時(shí)，它可以直接耦合或連接到另一元件或者可以存在中間元件，元件之間的連接可以是物理上的、邏輯上的、或者其結(jié)合。相反，當(dāng)稱元件“直接耦合到”或“直接連接到”另一元件時(shí)，意味著兩者不存在中間元件。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖...

MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間平穩(wěn)，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常...

掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓...

掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷海_(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓...

掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓...

響度控制、水位監(jiān)測(cè)用模擬開(kāi)關(guān)：模擬開(kāi)關(guān)，雙向模擬開(kāi)關(guān)，四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)類型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開(kāi)關(guān)，模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的功用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和用到壽命長(zhǎng)等特性，因而，在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中取得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)支配極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成，為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ瑱C(jī)能部分有一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)，門極信號(hào)分為兩路，一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS，另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS，確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>10...

在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí)，要注意到，流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在轉(zhuǎn)變時(shí)，會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí)，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器采用特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC，在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí)，在...

優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源（VCC=0），它容許裝置承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗，甚至當(dāng)支配電壓的SEL引腳是低比電源電壓（VCC）。特點(diǎn)：寬電源電壓范圍：，低電容，Ω阻力低（典型值）在3V電壓VSW=，高帶寬（-3dB）：>>從未C和C=5pF550MHz720MHz，低功耗：1uA。靜電放電8kVHBM測(cè)試：通過(guò)過(guò)電壓耐受（OVT）所有USB端口到。TTL/CMOS兼容，先把開(kāi)關(guān)斷，溫度范圍：40到85℃℃，封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域：手機(jī)，...

off)，如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，從漏極注入或流出的電流叫作Id(on)，如圖8。圖8漏電流概念(2).特色漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，接入MUX前的傳感器有或許是高阻抗的傳感器。這時(shí)，漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如，在圖10的仿真中，輸入源有1MΩ的源阻抗，我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描，觀察它從1MΩ轉(zhuǎn)變至10MΩ時(shí)，對(duì)輸出電壓的影響，結(jié)果可以見(jiàn)到，漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以，在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí)，要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11...

以有效性避免480MbpsUSB信號(hào)迅速升高/下滑沿引起的信號(hào)反射。由于單個(gè)USB端口用以充電器和數(shù)據(jù)功用，因此充電器檢測(cè)機(jī)能在當(dāng)前設(shè)計(jì)中已變得十分風(fēng)靡。傳統(tǒng)方式是將D+/D-線饋入內(nèi)部A/D轉(zhuǎn)換器，以確定D+/D-線是不是短路。如前所述，該方案的主要局限性在于基帶處理器的GPIO端口的高輸入電容會(huì)在數(shù)據(jù)線上增加額外的電容電抗。這種新的容抗將造成在高數(shù)據(jù)速率下有效性觸發(fā)信號(hào)。不好影響，屬于USB一致性測(cè)試（例如，對(duì)于USB信號(hào)為480Mbps）。當(dāng)然，該方式的另一個(gè)弱點(diǎn)是它也占用了系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換器的資源。在這些應(yīng)用中，需兼具**內(nèi)部電容檢測(cè)電路的USB開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)充電器隔離和全速USB控...

晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可...

2、強(qiáng)烈提議A，B，C三路片選端要加上拉電阻。3、CD4051的公共輸出端不用加濾波電容（并聯(lián)到地），否則不同通道變換后的電壓經(jīng)電容沖放電后會(huì)引起巨大的誤差。4、明令禁止輸出端（INH）為高電平時(shí)，所有輸出切斷，所以在運(yùn)用時(shí)此端接地。作音頻信號(hào)切換時(shí)，**好在輸入輸出端串入隔直電容。運(yùn)用CD4051模擬開(kāi)關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展1、CD4051介紹詳實(shí)信息參考：TICD4051Datasheet可將其了解為單刀8擲開(kāi)關(guān)，法則如圖：CD4051模擬開(kāi)關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展用三個(gè)IO控制A，B，C地址腳，可實(shí)現(xiàn)3腳與0-7這8個(gè)腳的連接。真值表如圖：CD4051模擬開(kāi)關(guān)芯片實(shí)現(xiàn)IO口擴(kuò)展2、典型...

CD4066中文資料：CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān)，主要當(dāng)做模擬或數(shù)字信號(hào)的多路傳輸。引出端排列與CC4016一致，但具備較為低的導(dǎo)通阻抗。另外，導(dǎo)通阻抗在整個(gè)輸入信號(hào)范圍內(nèi)基本不變。CD4066由四個(gè)互相單獨(dú)的雙向開(kāi)關(guān)構(gòu)成，每個(gè)開(kāi)關(guān)有一個(gè)控制信號(hào)，開(kāi)關(guān)中的p和n器件在支配信號(hào)功用下同時(shí)開(kāi)關(guān)。這種構(gòu)造掃除了開(kāi)關(guān)晶體管閾值電壓隨輸入信號(hào)的變化，因此在整個(gè)工作信號(hào)范圍內(nèi)導(dǎo)通阻抗比起低。與單通道開(kāi)關(guān)相比之下，兼具輸入信號(hào)峰值電壓范圍等于電源電壓以及在輸入信號(hào)范圍內(nèi)導(dǎo)通阻抗較為平穩(wěn)等優(yōu)點(diǎn)。但若應(yīng)用于采保電路，仍引薦CD4016。當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓使用雙電源時(shí)，例如=﹢5V，=﹣5V（均對(duì)地0...

本發(fā)明屬于油壓控制領(lǐng)域，關(guān)乎一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)。背景技術(shù)：繁復(fù)的油壓系統(tǒng)一般而言包括多個(gè)子系統(tǒng)，在使用過(guò)程中不免出現(xiàn)“跑冒滴漏”的現(xiàn)象，從前在向每個(gè)子系統(tǒng)加注液體介質(zhì)時(shí)都是通過(guò)卸下加油口蓋直接展開(kāi)重力式加注，這樣可能會(huì)致使液體介質(zhì)受到不同程度的污染，影響整個(gè)油壓系統(tǒng)的可靠性，再者經(jīng)常性的拆卸加油口蓋還可能會(huì)引致口蓋密封不嚴(yán)或損壞。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素：本發(fā)明的目的：提供一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通，實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ谩１景l(fā)明的技術(shù)方案：***方面，提供了一種多路轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，包括：殼體、輸入口、n個(gè)輸出口、活門組件、...

且接線盒盒蓋與盒蓋安放槽通過(guò)卡槽連結(jié)，所述接線盒盒蓋的一端設(shè)立有接線放到通孔。推薦的，所述接線盒盒蓋的下端設(shè)立有盒蓋拉動(dòng)瓣。推薦的，所述防落罩的一端設(shè)立有海綿圓套，且海綿圓套設(shè)立有三個(gè)，所述海綿圓套的一側(cè)設(shè)立有橡膠圓套,且橡膠圓套設(shè)立有兩個(gè)。推薦的，所述橡膠圓套和海綿圓套的中間位置處設(shè)立有氣管安放槽。與現(xiàn)有技術(shù)相比之下，本實(shí)用新型的有益于效用是：1.該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥與現(xiàn)有的電路連接用輔助設(shè)備相比之下，裝備了伸縮連接柱和拉動(dòng)扣環(huán)，伸縮連接柱的設(shè)計(jì)可以讓該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥在無(wú)法正常采用下可以開(kāi)展手動(dòng)操作，化解了現(xiàn)有的開(kāi)關(guān)電磁閥在電磁閥內(nèi)部線路受損時(shí)無(wú)法正常用到的疑問(wèn)。2.該種多路開(kāi)關(guān)電磁...

晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可...

關(guān)并使這種多路開(kāi)關(guān)可傳輸峰－峰值達(dá)15V的交流信號(hào)例如若模擬開(kāi)關(guān)的供電電源VDD=＋5VVSS=0V當(dāng)VEE=－5V時(shí)只要對(duì)此模擬開(kāi)關(guān)強(qiáng)加0～5V的數(shù)字控制信號(hào)就可控制大幅度范圍為－5V～＋5V的模擬信號(hào)圖2CD4051引腳功用表1CD4051真值表3.雙四路模擬開(kāi)關(guān)CD4052CD4052的引腳機(jī)能見(jiàn)圖3CD4052相當(dāng)于一個(gè)雙刀四擲開(kāi)關(guān)實(shí)際接通哪一通道由輸入地址碼AB來(lái)決定其真值表見(jiàn)表2圖3CD4052的引腳功用表2CD4052真值表4.三組二路模擬開(kāi)關(guān)CD4053CD4053的引腳功用見(jiàn)圖4CD4053內(nèi)部帶有3組單刀雙擲開(kāi)關(guān)3組開(kāi)關(guān)實(shí)際接通哪一通道由輸入地址碼ABC來(lái)決定其真值...

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在用到的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開(kāi)始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色，詳實(shí)的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexe...

球活門球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通，形成一個(gè)通道。可選地，錐活門和球活門通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷子連通，實(shí)際包括：錐活門穿越球活門的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷子與球活門連通?？蛇x地，圓盤上設(shè)立限位孔，限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)?？蛇x地，還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔，盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球，彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部，彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)?？蛇x地，所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效：本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān)，具構(gòu)造連貫、重量輕、集成度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系...

晶體管m5的柵極電壓被電阻r1下拉至地，晶體管m5導(dǎo)通，將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc，使得模擬開(kāi)關(guān)電路300可以正常工作。此外，本實(shí)施例的模擬開(kāi)關(guān)電路300還包括驅(qū)動(dòng)電路303，驅(qū)動(dòng)電路303與模擬開(kāi)關(guān)301相連接，用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路303例如通過(guò)緩沖器實(shí)現(xiàn)。緩沖器可隔離前端控制電路與開(kāi)關(guān)管mp1的柵極之間的較大的寄生電容，且可使得開(kāi)關(guān)管mp1具有較快的擺率驅(qū)動(dòng)，可以提高開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)速度。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述緩沖器可以為源跟隨器、cmos緩沖器或者其他合適的緩沖器。進(jìn)一步的，驅(qū)動(dòng)電路303包括晶體管m6和m7，晶體管...